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崔德良

作品数:4 被引量:10H指数:2
供职机构:山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇XGA
  • 2篇光学
  • 2篇ALGAIN...
  • 1篇对二甲苯
  • 1篇氧化膜
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇溶剂热合成
  • 1篇砷化镓
  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺
  • 1篇热合成
  • 1篇椭偏光谱
  • 1篇甲苯
  • 1篇光谱
  • 1篇光学参数
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇二甲苯
  • 1篇AL

机构

  • 4篇山东大学

作者

  • 4篇崔德良
  • 3篇张淑芝
  • 3篇连洁
  • 3篇秦晓燕
  • 2篇魏爱俭
  • 2篇黄伯标
  • 1篇王海涛
  • 1篇卢菲
  • 1篇徐现刚
  • 1篇郝霄鹏
  • 1篇黄柏标
  • 1篇蒋民华
  • 1篇李玲
  • 1篇王海涛
  • 1篇于乃森

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 2篇1999
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量:2
2000年
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。
连洁张淑芝卢菲魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
关键词:ALGAINP光学性质砷化镓光学性质MOCVD
立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究被引量:8
2004年
低温 (2 80℃ )条件下 ,通过二甲苯中AlCl3 和NaN3 的反应制备出了AlN纳米微粒。 70 0℃退火 4 8h后 ,得到了纯的立方相AlN纳米晶。通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析 ,验证了立方相AlN纳米晶的生成。经XRD和TEM分析 ,纳米晶的平均粒度约为 3nm。色质联 (GC MS)检测结果显示 ,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用 ,使二甲苯发生聚合和杂化环反应 ,得到了二联苯、萘、蒽、三甲基咔唑及咔唑胺等多环芳烃。作为对比实验 ,分别研究了NaN3 和AlCl3 对二甲苯的催化性能 。
李玲郝霄鹏于乃森徐现刚崔德良蒋民华
关键词:二甲苯退火工艺
(Al_xGa_(1-x))_yIn_(1-y)P表面氧化特性
1999年
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论.另外还在室温下对(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究。
连洁张淑芝许进黄柏标崔德良秦晓燕
关键词:氧化膜光学参数ALGAINP
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P中Al的组分研究被引量:1
1999年
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较。
张淑芝连洁魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
关键词:椭偏光谱
共1页<1>
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