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文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇等效
  • 4篇等效电路
  • 4篇物理模型
  • 3篇片上螺旋电感
  • 3篇趋肤效应
  • 3篇螺旋电感
  • 3篇互连
  • 3篇互连线
  • 3篇Π
  • 2篇电路
  • 2篇损耗
  • 2篇宽带
  • 2篇集成电路
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅基
  • 2篇衬底
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路模型
  • 1篇射频
  • 1篇射频集成

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇尤焕成
  • 5篇金香菊
  • 5篇王向展
  • 5篇朱磊
  • 4篇杨谟华
  • 3篇任军
  • 3篇郑薇
  • 3篇杨帆
  • 2篇李立萍
  • 1篇李竞春

传媒

  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2007
  • 6篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型被引量:4
2006年
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.
杨帆王向展郑薇任军尤焕成李立萍杨谟华
关键词:片上螺旋电感趋肤效应
基于复镜像理论与部分元的有耗互连线物理模型
针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性的影响,并通过π等效电路结构计入了互连线寄生电容的...
尤焕成金香菊朱磊
关键词:物理模型
文献传递
基于复镜像理论与部分元的有耗互连线物理模型
针对高损耗衬底,基于复镜像理论,结合部分元等效电路法,建立了一种新的片上互连线物理模型。该模型考虑了趋肤效应和衬底损耗对互连线中串联电感L(f)和串联电阻R(f)频率特性的影响,并通过π等效电路结构计入了互连线寄生电容的...
尤焕成金香菊朱磊
关键词:物理模型
宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型被引量:2
2006年
针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计.
任军杨帆郑薇尤焕成王向展李立萍杨谟华
关键词:片上螺旋电感物理模型趋肤效应
射频高损耗硅基双互连线建模被引量:1
2006年
针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分析方法对比,验证了在20 GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内。该模型可望应用于硅基射频集成电路设计。
金香菊朱磊尤焕成王向展杨谟华
关键词:射频互连线趋肤效应
用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型
2007年
基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5~15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。
朱磊尤焕成金香菊
关键词:GANHEMT小信号等效电路模型模拟退火算法MATLAB
2.4GHz CMOS功率放大器设计
本文系统分析了射频CMOS功率放大器的设计方法,并基于TSMC 0.35μm RF工艺设计了一种工作频率在2.4GHz, 电源电压为3.3V的三级CMOS功率放大器。仿真得到输出功率24dBm,漏级效率为40%,输入反射...
金香菊王向展尤焕成朱磊
关键词:射频集成电路功率放大器CMOS
文献传递
硅基片上螺旋电感宽带物理模型被引量:1
2007年
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。
郑薇王向展任军杨帆尤焕成李竞春杨谟华
关键词:片上螺旋电感物理模型涡流损耗
SPICE兼容的RF传输线建模
在射频及微波应用领域,片上互连线存在着RF传输线效应,应作为RF传输线进行研究。频变的电阻电感制约其模型在SPICE电路仿真的瞬态分析中的应用,因此,研究片上互连线SPICE兼容的RF传输线模型对集成电路的发展有着实际意...
尤焕成
关键词:集成电路
文献传递
共1页<1>
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