宋佳
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 发文基金：浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目浙江省“钱江人才计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用
- 本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法，具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO<Sub>3</Sub>)的p-n异质结、制备方法及其应用。本发明是由p型多铁材料TbFeO<Sub>3</Sub>和n...
- 李培刚李文丽吴德胜董大银宋佳王顺利沈静琴
- 文献传递
- 一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用
- 本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法，具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO<Sub>3</Sub>)的p-n异质结、制备方法及其应用。本发明是由p型多铁材料TbFeO<Sub>3</Sub>和n...
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- 一种CdS量子点光电探测单元的制备方法
- 本发明涉及一种基于纳米材料构建光电探测单元的制备方法，具体是指一种CdS量子点光电探测单元的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，先在硅(Si)衬底表面制备Au电极，然后采用连续离子层吸附法(SILAR)，室温下于电极之...
- 李培刚邢云朱志艳宋佳汪鹏超王顺利
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- 基于第一性原理研究S替代对CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响
- 2014年
- 基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。
- 邢云钟丹霞李延杰林秀茶宋佳钱惠琴沈静琴王顺利李培刚
- 关键词：CDSE电子结构
- 一种CdS量子点光电探测单元的制备方法
- 本发明涉及一种基于纳米材料构建光电探测单元的制备方法，具体是指一种CdS量子点光电探测单元的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，先在硅(Si)衬底表面制备Au电极，然后采用连续离子层吸附法(SILAR)，室温下于电极之...
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- 有机/无机半导体异质结构的光电性能研究
- 光电器件在民用和军事领域都有着广泛的应用。目前，商业化的光电器件主要采用无机材料，但它们的生产成本高昂，加工工艺复杂，不利于大规模生产。相比之下，有机半导体材料则具有加工性能优异、成本低廉、可大面积制作等优点，但电子迁移...
- 宋佳
- 关键词：异质结光电性能水热法
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- 一种基于CdS纳米棒纳米光电器件的制备方法
- 本发明涉及一种纳米光电器件的制备方法，具体是指一种基于胶体化学合成硫化镉纳米棒的纳米光电器件的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，在具有200nmSiO<Sub>2</Sub>层的单晶硅(Si)衬底上制备出具有纳米间隙...
- 李培刚宋佳钟丹霞王顺利汪鹏超朱志艳沈静琴
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- 一种基于CdS纳米棒纳米光电器件的制备方法
- 本发明涉及一种纳米光电器件的制备方法，具体是指一种基于胶体化学合成硫化镉纳米棒的纳米光电器件的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，在具有200nmSiO<Sub>2</Sub>层的单晶硅(Si)衬底上制备出具有纳米间隙...
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