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孙鹏霄
作品数:
17
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电气工程
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所
刘琦
中国科学院微电子研究所
吕杭炳
中国科学院微电子研究所
龙世兵
中国科学院微电子研究所
卢年端
中国科学院微电子研究所
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作者
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孙鹏霄
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刘明
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刘琦
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吕杭炳
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龙世兵
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李泠
9篇
王明
9篇
卢年端
6篇
刘红涛
6篇
李阳
6篇
许晓欣
6篇
王国明
6篇
张美芸
4篇
刘若愚
2篇
李颖弢
1篇
闫小兵
年份
5篇
2017
3篇
2016
1篇
2015
8篇
2014
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具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域,公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括:下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工...
刘明
李颖弢
龙世兵
刘琦
吕杭炳
杨晓一
孙鹏霄
文献传递
三维集成阻变存储器的热效应评估及降低热串扰的方法
一种方法,用于3D RRAM阵列的热效应评估及降低热串扰,包括步骤:步骤1,通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布;步骤2,选择热传输模式;步骤3,选择合适的阵列结构;步骤4,分析阵列中编程器件位置对于温度的影响;步...
卢年端
孙鹏霄
李泠
刘明
刘琦
吕杭炳
龙世兵
文献传递
一种测量阻变存储器状态密度的方法
本发明公开了一种测量阻变存储器状态密度的方法,包括:实验测量阻变存储器电流的驰豫效应,得到该阻变存储器实验测量的电流值;根据该实验测量的电流值来选取该阻变存储器的状态密度宽度;根据选取的该阻变存储器的状态密度宽度计算得到...
卢年端
李泠
刘明
闫小兵
吕杭炳
孙鹏霄
文献传递
具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域,公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括:下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工...
刘明
李颖弢
龙世兵
刘琦
吕杭炳
杨晓一
孙鹏霄
文献传递
改善三维集成阻变存储器耐久性的方法
本发明涉及改善三维集成阻变存储器耐久性的方法,一种方法,用于改善3D RRAM阵列的耐久性,包括:步骤1,通过3D傅立叶热传导方程计算阵列中温度分布;步骤2,选择热传输模式;步骤3,选择合适的阵列结构;步骤4,分析阵列中...
卢年端
孙鹏霄
李泠
刘明
刘琦
吕杭炳
龙世兵
文献传递
一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法
本发明公开了一种表征有机半导体器件驰豫现象的方法,包括:计算有机半导体器件中载流子的跃迁速率,并选择一种状态密度来表示载流子的分布状况;根据计算的有机半导体器件中载流子的跃迁速率和选择的状态密度,确定能量空间中没有被载流...
卢年端
李泠
刘明
孙鹏霄
文献传递
一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘若愚
李丛飞
刘红涛
孙鹏霄
吕杭炳
刘琦
刘明
一种分析阻变存储器电流波动性的方法
本发明公开了一种分析阻变存储器电流波动性的方法,该方法包括:制备各种阻变存储器;测量制备的各种阻变存储器的I-V曲线,并采用0.1V的读电压,从测得的I-V曲线中读出该电压下各种阻变存储器的电流值,进而确定各种阻变存储器...
卢年端
李泠
刘明
孙鹏霄
王明
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一种测量阻变存储器激活能的方法
本发明公开了一种测量阻变存储器激活能的方法,包括:测量阻变存储器的I-V曲线,并从该I-V曲线来确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值;计算在低阻态及高阻态下阻变存储器导电细丝中的电流;计算阻变存储器高阻态下导电细丝...
卢年端
李泠
刘明
孙鹏霄
王明
刘琦
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一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路,包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器,半导体参数分析仪作为控制平台,同时连接于探针台和脉冲源,并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形;示波器是当脉冲源...
龙世兵
王国明
张美芸
李阳
王明
许晓欣
刘若愚
李丛飞
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