娄志东
- 作品数：18 被引量：44H指数：5
- 供职机构：天津理工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金俄罗斯基础研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO(S):Ce^(3+)的发光特性被引量：1
- 1997年
- 介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO（S）：Ce2＋，测量了它的PL和EL特性，结果显示：这种材料的TFEL为Ce3＋的发光，有较好的颜色组成（446nm，493nm），可望用于监色TFEL。
- 于磊娄志东徐春祥滕枫杨晓辉
- 关键词：电致发光发光特性ELPL
- 影响蓝色场致发光的几个因素被引量：2
- 2000年
- 在分层优化方案的框架和以前分析的基础上 ,研究了影响蓝光产生和亮度的因素 ,比如 :谷间散射 ,激发中心的离化 ,分层优化的级联 ,以CdS做初电子源及硫空位的影响等 .
- 徐叙瑢娄志东赵辉徐春祥许秀来
- 关键词：电致发光硫化镉
- TFEL发光层体内的点缺陷及其作用被引量：5
- 1998年
- 通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 + 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 + 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu+ 等 .S空位是双施主能级 ,V1+ S 和V2 + S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu+能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 .
- 娄志东A.N.Georgobiani徐征徐春祥藤枫徐叙
- 关键词：光致发光谱点缺陷薄膜电致发光TFEL器件
- Ce^(3+)在硫氧化物中的TFEL
- 1998年
- 采用基质混合的方法制备了新的TFEL材料ZnSXO1-X∶Ce3+ .在相同的Ce3+ 掺杂浓度下ZnSXO1-X∶Ce3+ EL亮度高于ZnS∶Ce3+ 一个量级以上 ,其发光波长范围为 4 0 0～ 6 0 0nm .ZnSXO1-X∶Ce3+
- 于磊娄志东徐春祥徐征徐叙瑢
- 关键词：薄膜电致发光硫氧化物铈离子TFEL器件
- 薄膜电致发光器件中SiO_2加速作用的直接证据被引量：6
- 1995年
- 本文通过包含ＣｄＳ层的薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件的有关特性的研究，直接证明了ＳＩＯ２对ＣｄＳ中产生的电子有良好的加速作用，并获得了阈值电压低、Ｂ—Ｖ特性好，亮度较高的红色ＴＦＥＬ器件。我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中，测量这些器件的电学和光学特性，发现含ＣｄＳ的样品的传导电荷明显大于不含ＣｄＳ的样品，这说明硫化镉层可以提供较多的电子．但是，样品ＩＴＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳ：Ｓｍ３＋／ＳｉＯ２／ＣｄＳ／Ａｌ的发光效率低于不含硫化镐的样品，这说明这些电子在进入ＺｎＳ层的过程中能量有所降低．为了提高这些电子的能量，我们制备了样品ＩＴＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳ：Ｓｍ３＋／ＳｉＯ２／ＣｄＳ／Ａｌ，使硫化镉中产生的电子先经过ＳｉＯ２层，再进入发光层．测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了２．５个和０．５个数量级，与不含硫化镉的样品的亮度接近，但其阈值电压较低，亮度—电压（Ｂ—Ｖ）曲线上升部分较陡，且有一段饱和区．在这一样品达到饱和的电压下，不含硫化镉的样品才刚刚起亮，这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献．同时这些电子在ＳｉＯ２中得到了明显的加速。
- 徐春祥娄志东徐叙
- 关键词：电致发光硫化镉电子加速
- ZnGa2O4:Mn2+粉末材料的制备及其光学特性
- 在电致发光中急需解决兰色发光问题,ABC三元化合物的禁带宽度一般较宽,符合这种求。其中镓酸盐具有易于制备,化学性质稳定等优点。本文对ZnGaO:Mn粉末材料的制备条件,光学特性及其发光机理等进行了研究,通过吸收边带的测量...
- 徐春祥滕枫于磊娄志东徐叙瑢
- 关键词：吸收光谱带隙发射光谱
- 文献传递
- Ga^(3+)对Ce^(3+)光致发光的影响被引量：8
- 1998年
- 研究了Ｇａ３＋在ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＳｒＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）材料中的作用及其对Ｃｅ３＋发光特性的影响。在ＳｒＳ中掺入Ｇａ２Ｓ３并烧结，发现Ｇａ３＋的浓度增加时，Ｃｅ３＋的发光显著向短波方向移动，激发谱中对应于ＳｒＳ带间吸收的激发峰相对减弱，而对应于Ｃｅ３＋的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高，并出现逐渐增强的ＳｒＧａ２Ｓ４的带间吸收。Ｇａ３＋的引入使Ｃｅ３＋周围的配位场发生变化，相应的能级分布有所改变，Ｓｒ２＋离子性的增强和Ｃｅ３＋－Ｃｅ３＋相互作用的减弱对Ｃｅ３＋发光特性有显著影响。
- 徐春祥娄志东马龙刘行仁徐叙瑢
- 关键词：镓铈光致发光材料TFEL电致发光
- SrS∶Ce薄膜电致发光机制被引量：2
- 1999年
- 在分析Ｃｅ３＋ 激发态能级与导带之间杂化相互作用的基础上， 讨论了电场强度与场致电离之间的关系。实验测得的ＳｒＳ∶Ｃｅ ＴＦＥＬ发光波形表明， 在正弦电压驱动下的半周期内， 一种样品在上升沿有发光， 而另一种样品在上升和下降沿有两个发光峰。这种不同的产生与样品中硫空位对ＳｒＳ∶Ｃｅ 激发和发射过程的影响有关。上升沿的发光主要是由直接碰撞激发引起的分立中心的发光， 而下降沿的发光及上升沿的部分发光属于因电离而引起的复合发光。
- 徐征徐叙瑢徐春祥陆祖宏娄志东
- 关键词：稀土铈复合发光电致发光
- 电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率被引量：11
- 1998年
- 根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为．研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度．在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动．此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度．
- 娄志东徐征徐春祥于磊滕枫徐叙
- 关键词：电子输运二氧化硅电致发光高电场
- ZnS:Er^(3+)在960nm激光泵浦下的上转换发光
- 1997年
- 对Er^(3+)掺杂的ZnS在960nm激光泵浦下的上转换发光作了研究报道.结果表明ZnS:Er^(3+)在960nm激光的泵浦下具有较强的上转换发光.研究中,对Er^(3+)构成的聚集团(cluster)及Er^(3+)离子之间的相互作用对ZnS:Er^(3+)的上转换发光的影响作了讨论.
- 侯延冰徐叙瑢陈晓波张光寅华玉林娄志东
- 关键词：上转换发光团簇激光泵浦
