吴新坤
- 作品数：15 被引量：47H指数：3
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金福建省教育厅科技项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 新型可印刷FED场致发射显示器的研制被引量：32
- 2004年
- 介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300cd/m2,对比度已达400。并讨论了FED显示器今后可能的发展方向。
- 郭太良林志贤吴新坤林建光黄振武林燕飞郭明勇林金堂赵博选林君坦周小红胡利勤何国金廖志君张芳朱佳
- 关键词：场致发射显示器电子发射真空镀膜丝网印刷
- 锆钛酸铅陶瓷的烧结性能被引量：10
- 1999年
- 测定了Zr 浓度为x= 0-85 ～0-97 的锆钛酸铅陶瓷(PZT) 的径向线收缩率和致密度. 同时, 利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr 浓度范围内PZT 陶瓷的烧结活化能. 研究发现, 在PZT陶瓷的铁电一反铁电相边界所对应的Zr 浓度范围, PZT 陶瓷的烧结活化能和致密度存在突变.
- 张德颖章秀淦郭太良黄振武吴新坤林建光林志贤曾益彬
- 关键词：锆钛酸铅陶瓷动力学PZT陶瓷活化能
- 真空静电封接过程与分析
- 2000年
- 叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .
- 吴新坤郭太良黄振武林建光章秀淦王瑞红
- 关键词：真空SEM半导体
- 硫化温度对两步法制备FeS_2薄膜成分和结构的影响
- 2006年
- 首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553～673 K的条件下恒温硫化6 h,制备FeS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现：合适的硫化温度为603～653 K,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,n（S）/n（Fe）值为1.94～1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.
- 吴新坤翁臻臻郑明学钟南保程树英
- 关键词：硫化温度
- 场致发射平板显示器件的多材料层支撑物
- 本实用新型提供一种场致发射平板显示器件的多材料层支撑物，其特征是在阳极基板和阴极基板之间形成一种由多种功能材料层重叠组成的支撑物，它包含两层绝缘层以及置于两绝缘层之间的黑底材料层和吸气材料层，各材料层之间通过印刷或镀膜或...
- 郭太良吴新坤
- 文献传递
- 全方向蒸散型吸气装置
- 本发明提供一种全方向蒸散型吸气剂装置，它包含带有环形凹槽的金属载体(4)及置于其环形凹槽内的蒸散型吸气材料(3)，该金属载体(4)通过金属支架(5)固接于真空显示器件的基板(6)上，其特征是该环形凹槽沿径向外侧开口，径向...
- 郭太良吴新坤
- 文献传递
- 印刷型FED场致发射显示器的研制
- 采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术,我们研制出能显示视频图象的20英寸单色和彩色FED显示器样机,其亮度分别已达300cd/m<'2>和150cd/m<'2>,单色对比度已达400:1.文中详细讨论了阴极激活降低阴极表...
- 郭太良林志贤林建光吴新坤黄振武林金堂林燕飞郭明勇赵博选林君坦周小红胡利勤张永爱何国金廖志君
- 关键词：场致发射显示器丝网印刷电子发射
- 文献传递
- 全方向蒸散型吸气装置
- 本实用新型提供一种全方向蒸散型吸气剂装置，它包含带有环形凹槽的金属载体(4)及置于其环形凹槽内的蒸散型吸气材料(3)，该金属载体(4)通过金属支架(5)固接于真空显示器件的基板(6)上，其特征是该环形凹槽沿径向外侧开口，...
- 郭太良吴新坤
- 文献传递
- FeS_2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系被引量：2
- 2006年
- 采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500nm的铁膜，然后对铁膜在温度为553-673K的条件下恒温硫化6h，以制备二硫化铁薄膜．通过对所制备的薄膜进行结构和成分分析发现，当硫化温度为603-653K时，Fe膜硫化完全，所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜，薄膜晶粒大小均匀，表面致密，S／Fe值为1．94-1．96，接近理想化学配比．
- 吴新坤翁臻臻郑明学钟南保程树英
- 关键词：硫化温度
- 硫化时间对FeS_2薄膜结构和性能的影响
- 2008年
- 在硫化温度为653 K和硫化时间分别在3、6和12 h的条件下,用硫化铁膜法制备FeS2薄膜.通过对不同条件下制备的薄膜成分、结构和光电性能研究表明：当硫化时间大于6 h时,薄膜的成分接近理想化学配比,直接光学能带间隙大约为1.15-1.17 eV,电阻率约为1.3Ω.cm.
- 吴新坤钟南保程树英
- 关键词：FES2薄膜硫化时间
