吕厚祥
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金四川省教育厅自然科学科研项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 铁磁/半导体(绝缘体)/铁磁异质结中渡越时间与两铁磁层磁矩夹角变化的关系
- 2013年
- 在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子和自旋向下电子的渡越时间差会在两铁磁层相对磁矩夹角为π/2和3π/2附近出现一个极小值.当中间层为绝缘体层时,势垒高度的变化会导致不同取向的自旋极化电子渡越时间差的变化,并当势垒高度超过一临界值时发生翻转.
- 吕厚祥石德政谢征微
- 关键词：铁磁体渡越时间磁矩
- 一种大面积二维石英纳米结构制备的工艺研究
- 2015年
- 介绍一种采用紫外(363.8nm)激光干涉光刻得到大面积二维纳米点阵结构的方法,该技术具有操作简单、光路搭建成本低、可以大面积加工微纳图形结构等优点;并利用等离子体刻蚀传递,获得周期为200nm的二维石英纳米点阵结构。通过光刻工艺与反应离子束刻蚀工艺的优化,得到加工二维石英点阵的最优制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)与原子力显微镜(AFM)对制备二维纳米图形结构进行表征与分析,并利用紫外可见光分光光度计对制备的二维点阵结构图形进行紫外透过率测试,发现加工的二维结构在365nm处的透过率仍大于90%,符合紫外固化纳米印掩模板对紫外光高透过率的要求。
- 郑杰李玲吕厚祥王诗琴宫云志刘贤超
- 关键词：激光干涉光刻等离子体刻蚀
- Cr光栅掩模对金属平板超透镜成像质量的影响
- 2015年
- 利用有限元法并结合射频磁控溅射法制备不同厚度Cr膜的透光率的研究,模拟了金属平板超透镜近场成像特性.研究了作为"物"的Cr光栅掩模厚度、占空比对超透镜成像质量的影响.研究结果表明:成像系统的对比度随光栅掩模厚度的增加而增大,当厚度大于50 nm,达到一个稳定值;在相同掩模厚度下,成像系统的像平面随着光栅线宽W的增加而变远;在相同厚度变化范围内,W越大,对比度的变化范围(△C)和像平面位置的变化范围(△y)也都越大,但前者变化更大.研究表明:Cr光栅掩模的厚度、占空比对成像质量有明显的影响.
- 王诗琴宫云志吕厚祥刘贤超郑杰张涛谢征微陈卫东李玲
- 关键词：成像质量
- 表面等离子体超分辨光刻成像研究
- 传统光学成像始终受限于衍射极限，导致光学成像分辨率只有入射光波长的二分之一。衍射极限的本质在于携带物体精细结构的高频信息具有倏逝波的行为，该倏逝波在传播过程中随传播距离的增加呈指数形式衰减，无法参与光学成像。近几年来，为...
- 吕厚祥
- 关键词：激光干涉表面等离子体
- 文献传递
