- AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究和场板结构优化设计
- 新兴的第三代半导体材料GaN由于其禁带宽度大，击穿电场高，耐压能力强等优势，目前已成为国内外研究热点。近年来，AlGaN/GaN HEMT在微波大功率应用方面的前景已逐渐显现。高的功率特性要求器件具有良好的击穿特性，采用...
- 严地
- 关键词：高电子迁移率晶体管击穿特性优化设计
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1
- 2007年
- 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。
- 严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华
- 关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场
- 栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真
- 2007年
- 利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。同时还发现,电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关,电子温度的最高点并不在电场的极大值处,而是在电场方向与电子电流方向一致之处。
- 罗大为卢盛辉罗谦杜江锋靳翀严地
- 关键词：电子温度仿真
