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黄璇

作品数:5 被引量:7H指数:2
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院信息材料与元器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:化学工程自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电子发射
  • 4篇陶瓷
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电陶瓷
  • 3篇反铁电陶瓷
  • 2篇铁电体
  • 2篇铁电阴极
  • 2篇发射电流
  • 2篇反铁电体
  • 1篇电压激励
  • 1篇电子发射特性
  • 1篇软件传感器
  • 1篇陶瓷样品
  • 1篇网格
  • 1篇网格服务
  • 1篇网格监控
  • 1篇网格资源
  • 1篇冷阴极
  • 1篇感器
  • 1篇传感

机构

  • 5篇西安交通大学
  • 4篇第二炮兵工程...

作者

  • 5篇黄璇
  • 4篇盛兆玄
  • 4篇冯玉军
  • 4篇徐卓
  • 4篇孙新利
  • 1篇崔洁
  • 1篇桂小林
  • 1篇朱全鑫

传媒

  • 2篇西安交通大学...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇小型微型计算...

年份

  • 4篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究
2008年
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下,发射电流密度为1.27A/cm^2;当抽取电压增加到4kV时,获得了1700A/cm^2的大发射电流密度.
盛兆玄冯玉军徐卓孙新利黄璇
关键词:冷阴极电子发射特性电压激励陶瓷样品
反铁电陶瓷的强电子发射特性研究被引量:3
2008年
采用掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,研究了脉冲电压激励下陶瓷的电子发射特性.当激励电压为800V、抽取电压为0V时,得到1.27A/cm2的发射电流密度;当抽取电压增加到4kV时,获得1700A/cm2的发射电流密度.分析了发射电流随抽取电压的变化关系,讨论了反铁电陶瓷强电子发射的内在机理.结果表明:掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷能够在较低的激励电压(400V)下实现电子发射,发射电流远大于按照Child-Langmuir定律计算出的电流,三接点附近局域反铁电—铁电相变产生初始电子发射,初始电子电离中性粒子形成等离子体,增强了电子发射.
盛兆玄冯玉军黄璇徐卓孙新利
关键词:铁电阴极反铁电体电子发射
强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究
2008年
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.
盛兆玄冯玉军徐卓孙新利黄璇
关键词:反铁电陶瓷电子发射
面向网格监控的软件传感器的主动部署方法研究被引量:4
2007年
针对网格资源与服务的异构性、动态性和流动性等特征,论文使用软件传感器来进行监测,根据异构平台上提供的服务,设计了不同的传感器.为了保证传感器有效地进行网格服务监测和快速安装,论文研究了传感器的主动部署算法与管理机制,目标是保证这一过程对用户相对透明.论文设计了一个支持传感器管理与主动部署的逻辑框架(GSDMF),提出这个框架下的请求驱动和事件驱动的传感器部署与更新的算法.实验表明,本文提出的传感器的部署与更新算法不会对网格用户任务的执行时间产生明显影响,但由于有了传感器的监控,使得网格内各种服务的平均可用率提高了大约42%.
朱全鑫桂小林黄璇
关键词:网格资源网格服务软件传感器
脉冲极性对反铁电陶瓷电子发射特性影响
2008年
采用镧改性锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,在10?1Pa真空环境下研究了正极性脉冲和负极性脉冲激励下陶瓷的电子发射特性.正极性脉冲激励时,较低激励电压下发射电流为双峰发射,较高激励电压下发射电流为三峰发射.负极性脉冲激励时,发射电流始终为双峰发射.分析了反铁电陶瓷强电子发射的内在机制,反铁电陶瓷强电子发射是场发射和极化反转共同作用的结果,三接点处电场增强在三接点附近区域形成局域铁电宏观畴导致反铁电陶瓷初始电子发射.
盛兆玄冯玉军崔洁黄璇徐卓孙新利
关键词:铁电阴极反铁电体电子发射
共1页<1>
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