郑可炉
- 作品数：11 被引量：41H指数：3
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：福建省科技重大专项国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种碳纳米管离子型电泳液的制备方法
- 本发明提供一种碳纳米管离子型电泳液的制备方法，属于碳纳米管电泳液技术领域，解决现有技术中以水作为分散介质在电泳过程中易发生水电解反应，导致沉积的碳纳米管薄膜附着弱，均匀性差；而采用有机溶剂又有毒性，强挥发性，制约了电泳法...
- 叶芸郭太良段丽郑可炉
- 文献传递
- 应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路
- 本发明涉及显示器制造技术领域，提供一种应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路，该方法采用将一行图像数据按数据位权重划分出若干子行时间脉冲宽度进行驱动的方法，突破传统仅适用于PDP等具有存储效应一类显示器...
- 林志贤郭太良徐胜郑可炉
- 文献传递
- PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究被引量：12
- 2005年
- 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。
- 郑可炉褚家如鲁健李恒
- 关键词：湿法刻蚀
- 应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路
- 本发明涉及显示器制造技术领域，提供一种应用于大屏幕的场致发射显示器的图像灰度调制方法及驱动电路，该方法采用将一行图像数据按数据位权重划分出若干子行时间脉冲宽度进行驱动的方法，突破传统仅适用于PDP等具有存储效应一类显示器...
- 林志贤郭太良徐胜郑可炉
- 文献传递
- 场致发射显示领域专利分析
- 2007年
- 由于优异的显示特性,场致发射显示器被认为是最有发展前景的平板显示器件之一。分析场致发射显示领域的专利有助于了解该领域的技术发展动态。通过检索欧洲专利局的专利数据库,对筛选出的主要场致发射领域相关的专利进行统计分析,讨论了美国、日本、韩国、中国等的厂商在场致发射显示领域技术的发展现状和未来发展趋势,着重研究了我国场致发射显示领域专利的发展趋势和存在的问题。
- 郑可炉黄顺宁郭太良
- 关键词：场致发射显示器平板显示统计分析
- 取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究被引量：3
- 2006年
- 用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线,并研究了In2O3纳米线的场发射性质,发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线,这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故.
- 胡利勤林志贤郭太良姚亮王晶晶杨春建张永爱郑可炉
- 关键词：场发射纳米线
- 四角状氧化锌纳米材料的场致发射平板显示器被引量：23
- 2006年
- 利用真空封装工艺,制备了四角状氧化锌纳米材料的平板显示器,研究了其阴极的场致发射的特性,实现了显示器的全屏点亮.通过显示器稳定性的讨论,发现四角状氧化锌纳米材料在低真空也能有较好的场发射特性.实验结果表明了氧化锌纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料.
- 林志贤郭太良胡利勤姚亮王晶晶杨春建张永爱郑可炉
- 关键词：纳米材料场致发射平板显示器
- 一种碳纳米管离子型电泳液的制备方法
- 本发明提供一种碳纳米管离子型电泳液的制备方法，属于碳纳米管电泳液技术领域，解决现有技术中以水作为分散介质在电泳过程中易发生水电解反应，导致沉积的碳纳米管薄膜附着弱，均匀性差；而采用有机溶剂又有毒性，强挥发性，制约了电泳法...
- 叶芸郭太良段丽郑可炉
- 文献传递
- BiFeO_3掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和介电性能的影响被引量：1
- 2010年
- 采用固相反应法制备了BiFeO3掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对CCTO陶瓷的烧结性能、晶体结构和介电性能的影响。结果表明,BiFeO3掺杂改善了CCTO陶瓷的烧结性能。随BiFeO3掺杂量的增加,CCTO陶瓷的晶格常数和εr均先增大而后减小;而tanδ先几乎不变而后增大。当x(BiFeO3)为0.5%,1040℃烧结的CCTO陶瓷样品在1kHz时具有巨介电常数(εr=14559)和较低的介质损耗(tanδ=0.12)。
- 郑兴华刘馨汤德平刘旭俐郑可炉
- 关键词：CACU3TI4O12BIFEO3巨介电常数固相反应法
- CCTO/Cu巨介电陶瓷被引量：2
- 2010年
- 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相。但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀。CCTO/Cu陶瓷均具有巨介电常数(>104,1kHz)和较低的损耗(～10-1)。CCTO/Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关。相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性。
- 郑兴华肖娟严容黄旭郑可炉
- 关键词：巨介电常数烧结温度
