您的位置： 专家智库 > >

赵衡煜

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”宁波大学王宽诚幸福基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇BI
  • 2篇单晶
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇辐照
  • 2篇-B
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇射线
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇Γ射线
  • 1篇GEO
  • 1篇W
  • 1篇12

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇上海大学
  • 1篇宁波大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 3篇苏良碧
  • 3篇赵衡煜
  • 3篇徐军
  • 2篇杨秋红
  • 2篇郭鑫
  • 2篇俞平胜
  • 1篇喻军
  • 1篇吴锋
  • 1篇李欣年
  • 1篇方晓明
  • 1篇周朋
  • 1篇夏海平
  • 1篇唐慧丽

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响
2011年
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。
俞平胜苏良碧唐慧丽郭鑫赵衡煜杨秋红徐军
关键词：光致发光退火
γ射线辐照诱导Bi:α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究被引量：1
2010年
用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB2O4单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB2O4单晶中发现了中心波长为1139nm、半高宽为113nm的近红外宽带发光现象.讨论了辐照条件和退火处理对Bi离子发光的影响.对于其发光机理进行了初步的探讨.
喻军周朋赵衡煜吴锋夏海平苏良碧徐军
关键词：辐照退火处理
电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究
2011年
用提拉法技术生长出了Bi:α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi:α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi+离子.电子束射线起到了将Bi3+和Bi2+还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi+离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.
赵衡煜俞平胜郭鑫苏良碧李欣年方晓明杨秋红徐军
关键词：电子束辐照
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0