胡灿明
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
- 赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
- 1998年
- 采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应。
- 陈张海胡灿明陈建新陈建新史国良沈学础刘普霖
- 关键词：铟镓砷
- 硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
- 1991年
- 本文报道掺磷浓度为10^(13)cm^(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
- 胡灿明黄叶肖沈学础
- 关键词：光热电离光谱半导体硅掺磷
- GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气的回旋共振研究被引量：2
- 1997年
- 采用栅压比谱的方法，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气（２ＤＥＧ）的回旋共振。观察到由于子能带－朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为．由回旋共振频率ωｃ确定了子能带电子的回旋共振有效质量ｍ＊，通过对共振峰线形的拟合，获得二维电子气浓度Ｎｓ、电子散射时间τ和迁移率μ．由子能带－朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距．
- 陈张海胡灿明刘普霖史国良陆卫张波石晓红沈学础
- 关键词：异质结二维电子气砷化镓
- 准二维电子系统的远红外栅压比谱被引量：1
- 1997年
- 讨论应用快扫描傅里叶变换光谱仪研究异质结表面及量子阱中二维电子气的高频动力学性质，利用制备有金属栅极的异质结样品的肖特基场效应特性，通过光谱仪控制栅压门电源交替选择栅压扫描，获得了二维电子气的吸收栅压比谱，由此观察到该低维系统的几类基本红外激发，包括回旋共振。
- 胡灿明陈张海史国良陆卫张波石晓红刘普霖沈学础
- 关键词：二维电子气异质结半导体
- 半导体磁光理论和红外磁光光谱研究进展被引量：1
- 1997年
- 本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构、杂质缺陷、声子及其它元激发行为等工作中取得的成果，同时对有关理论作一般性介绍。
- 刘普霖石晓红陈张海胡灿明史国良陆卫沈学础
- 关键词：元激发半导体
- 电子－电子及电子－声子相互作用对GaAs中电子回旋共振之影响
- 胡灿明
- 关键词：异质结半导体材料电子回旋共振
- 掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
- 1998年
- 本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．
- 陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良胡灿明沈学础
- 关键词：LO声子半导体
- Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7+δ)的红外反射谱
- 1992年
- 测量了温度范围为4.2—300K的Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7+δ)(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa_2Cu_3O_(7-δ)中已被判定为Y模的位于194cm^(-1)的反射峰的位置与Pr的含量无关,即用Pr部份或全部替代Y时此峰不发生频移。建议Pr在Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7+δ),中是正4价,Pr的替代使原来可移动的空穴被定域在Pr的周围,使超导电性受到压制。
- 叶红娟冉中原胡灿明田是映刘竞青黄叶肖赵忠贤
- 关键词：高TC超导体
- 含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
- 1991年
- 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。
- 胡灿明黄叶肖叶红娟沈学础祁明维邬建根李晓雷
- 关键词：直拉硅硅
- GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合被引量：1
- 1998年
- 采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，观察到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气第零子能带的Ｎ＝１Ｌａｎｄａｕ能级与高达第五子能带的Ｎ＝０Ｌａｎｄａｕ能级的共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的理论计算结果相比较．同时，讨论了共振子能带Ｌａｎｄａｕ能级耦合所引起的Ｌａｎｄａｕ能级分裂大小与子能带量子数的关系．
- 陈张海胡灿明刘普霖史国良沈学础
- 关键词：砷化镓铝镓砷异质结
