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耿魁伟

作品数:98 被引量:33H指数:3
供职机构:华南理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金广东省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 59篇专利
  • 21篇期刊文章
  • 17篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 20篇一般工业技术
  • 12篇理学
  • 7篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 22篇纳米
  • 15篇多层膜
  • 12篇电机
  • 12篇电极
  • 12篇发电机
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 11篇纳米发电机
  • 9篇压电
  • 9篇微结构
  • 9篇触觉传感
  • 9篇触觉传感器
  • 8篇电池
  • 7篇磁性多层膜
  • 7篇磁学
  • 6篇电阻
  • 6篇入射
  • 6篇入射角
  • 6篇太阳能电池

机构

  • 78篇华南理工大学
  • 20篇清华大学
  • 3篇中山市华南理...
  • 2篇中新国际联合...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇广州锐速智能...
  • 1篇揭阳中诚集团...

作者

  • 98篇耿魁伟
  • 59篇姚若河
  • 41篇刘玉荣
  • 19篇曾飞
  • 14篇潘峰
  • 10篇谷宇
  • 8篇艾家和
  • 8篇黄华茂
  • 6篇韦岗
  • 6篇高阳
  • 5篇潘峰
  • 5篇杨国华
  • 4篇李晓伟
  • 4篇王洪
  • 4篇罗龙
  • 3篇杨洁
  • 3篇丁宇清
  • 3篇宋成
  • 3篇许佳雄
  • 2篇李明

传媒

  • 6篇物理学报
  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇华南理工大学...
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇第十届全国青...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇功能材料
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  • 1篇人工晶体学报
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  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇2013广东...
  • 1篇全国薄膜技术...
  • 1篇TFC’05...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 3篇2024
  • 11篇2023
  • 11篇2022
  • 8篇2021
  • 6篇2020
  • 7篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2013
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
98 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法
本发明公开了一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法,包括以下步骤:一、给定两个电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值;二、将电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值代入泊松方程,获取对应的阴极边界电场值;三...
朱映彬廖美焱姚若河耿魁伟
一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片
本发明公开一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片,其衬底为长方体,而外延层分割成多个发光单元,发光单元侧壁制备有微结构,微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底,所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形,发光单元以...
黄华茂王洪杨洁耿魁伟
文献传递
斜离子束辅助沉积对Co80Nb20薄膜结构及磁性能的影响
本文采用斜离子束辅助沉积(IBAD)方法制备了Co80Nb20合金薄膜,研究了离子束入射角度对薄膜结构、组织及磁性能的影响.结果表明:当离子束入射角度小于30°时形成fcc亚稳合金薄膜,入射角增大到30°后转变为hcp固...
李晓伟丁宇清曾飞谷宇耿魁伟潘峰
关键词:离子束辅助沉积入射角合金薄膜
文献传递
一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型
2021年
圆柱形双栅场效应晶体管(CSDG MOSFET)是在围栅MOSFET器件增加内部控制栅而形成,与双栅、三栅及围栅MOSFET器件相比,圆柱形双栅MOSFET提供了更好的栅控性能和输出特性.本文通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程,得到了圆柱形双栅MOSFET的电势模型;进一步对反型电荷沿沟道积分,建立其漏源电流模型.分析讨论了圆柱形双栅MOSFET器件的电学特性,结果表明:圆柱形双栅MOSFET外栅沿沟道的最小表面势和器件的阈值电压随栅介质层介电常数的增大而减小,其漏源电流和跨导随栅介质层介电常数的增大而增大;随着器件参数的等比例缩小,沟道反型电荷密度减小,其漏源电流和跨导也减小.
刘佳文姚若河刘玉荣耿魁伟
关键词:栅介质电学特性
Al_(x)Ga_(1–x)N插入层对双沟道n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN HEMT器件性能的影响
2022年
双沟道AlGaN/GaNHEMT器件在电子限域性、电流运输等方面优于单沟道结构,且能更好地缓解电流崩塌,提高设备的运行能力,在高功率应用中具有重要意义.本文对n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN/i-Al_(x)Ga_(1–x)N/GaN结构中的电荷状态以及运输性质进行研究.通过求解一维薛定谔方程和泊松方程,获得其电势、电场和电子分布,分析了双沟道中二维电子气状态与合金无序散射、位错散射的关系.结果表明,在第一沟道中,当Al_(x)Ga_(1–x)N的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度逐渐减小,合金无序散射的减弱使迁移率增大,位错散射增强致迁移率变小,总迁移率主要由合金无序散射决定.在第二沟道中,当Al_(x)Ga_(1–x)N的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度随之增大,由于较低的势垒高度以及高渗透电子的作用,第二沟道中的合金无序散射影响更大,合金无序散射迁移率随Al_(x)Ga_(1–x)N层的Al组分和厚度的增加而减少且变化趋势逐渐趋于平缓,位错散射作用的减弱导致迁移率的提升.总体上,第一沟道势阱中受到的位错散射低于第二沟道势阱.随着背势垒厚度的增加,第二沟道中主导的散射机制逐渐从位错散射转为合金无序散射.
蔡静姚若河耿魁伟
坡莫合金/铜磁性多层膜微观力学性能的研究
本文用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了具有不同坡莫合金层厚度的坡莫合金/铜磁性多层膜,并采用纳米力学系统分别以压痕法、划痕法测定了坡莫合金层厚度对多层膜显微硬度、弹性模量以及划痕的临界载荷、宽度和深度等的影响。研究结果...
艾家和高阳耿魁伟曾飞潘峰
关键词:坡莫合金压痕划痕
文献传递
Ag层厚度对NiCo/Ag多层膜的微结构及磁学性能的影响
采用磁控溅射方法制备了不同Ag层厚度的NiCo/Ag多层膜,研究了Ag层厚度对NiCo/Ag多层膜微结构及其磁学性能的影响.研究结果表明,NiCo/Ag多层膜中NiCo层在FCC的Ag层上准外延生长,为亚稳结构相.该多层...
艾家和耿魁伟杨国华曾飞高阳潘峰
关键词:磁性多层膜磁控溅射磁学性能
文献传递
坡莫合金/铜磁性多层膜微观力学性能的研究
本文用直流磁控溅射方法在玻璃基片上制备了具有不同坡莫合金层厚度的坡莫合金/铜磁性多层膜,并采用纳米力学系统分别以压痕法、划痕法测定了坡莫合金层厚度对多层膜显微硬度、弹性模量以及划痕的临界载荷、宽度和深度等的影响.研究结果...
艾家和高阳耿魁伟曾飞潘峰
关键词:坡莫合金
文献传递网络资源链接
镂空双圆环旋转式纳米发电机和发电方法
本发明涉及镂空双圆环旋转式纳米发电机,包括定环、动环、转动机构;定环和动环中,一个在内圆周,一个在外圆周;动环在转动机构的作用下绕圆周相对于定环转动,定环和动环在同一径向方向重叠时,两者紧贴且相对运动,在摩擦效应和压电效...
耿魁伟姚若河郑祥忠
一种槽栅增强型MISHEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件,包括衬底;位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层;位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层;位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层;位于所述AlGaN背势垒...
耿魁伟渠文宽黄华茂刘玉荣姚若河
文献传递
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