王鸥
- 作品数:21 被引量:0H指数:0
- 供职机构:西南技术物理研究所更多>>
- 相关领域:电子电信核科学技术理学更多>>
- 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
- 本发明涉及一种双层结构掺杂层的硅基薄膜太阳电池,在双层结构的p型掺杂的硅层与双层结构的n型掺杂的硅层中,与本征硅层相邻较近的掺杂的硅层的光学带隙比与其相邻的离本征硅层较远的同型掺杂的硅层的光学带隙大,但其带隙差值不大于0...
- 余晨辉余丽波覃文治石柱王鸥
- 文献传递
- 光敏芯片钝化结构
- 本实用新型提出的一种光敏芯片钝化结构,旨在提供一种减少干扰,合格率高,易于实现的硅基探测器的光敏芯片钝化结构。本实用新型通过下述技术方案予以实现:硅基探测器的光敏芯片钝化结构,包括光刻保留在工艺芯片表面的氧化硅钝化膜,氧...
- 王鸥邱月瓴曾璞刘小会周红轮胡卫英刘从吉罗成思
- 文献传递
- 2μm激光探测器的设计和制备
- 2006年
- 通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和 CO_2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标。根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计。其外延材料采用了 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)系列结构。为了减小暗电流和噪声,器件结构借用InGaAs 雪崩管的分离吸收区和倍增区结构,把 PN 结放在具有宽带隙的 InAs_(1-y)P_y 中,光吸收在窄带隙的In_(1-x)Ga_xAs 中。最后,简略介绍了该器件的制备工艺和技术。
- 石柱王鸥
- 关键词:激光探测器
- 一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具
- 本发明涉及一种改善探测器芯片清洗工艺碎片的工装夹具,属于芯片制造领域。本发明的工装夹具的清洗舟高度为65mm,为50mm直径的硅片留有足够的空间;所述清洗舟的顶部设置一个压条,使得硅片在清洗的过程中被限制在了清洗舟内部;...
- 刘从吉蒲勋胡卫英王鸥周红轮钱煜曾璞
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- 一种用于焦平面探测器测试的开关机试验系统
- 本发明属于属于电子产品自动化测试技术领域,具体涉及一种用于焦平面探测器测试的开关机试验系统。该系统根据焦平面探测器开关机可靠性试验需求,利用可编程时间继电器编程产生特定的时序关系,经由继电器转接PCB反复进行开关步骤,从...
- 袁鎏柯尊贵孔繁林王鸥周小燕
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- 多象限光电探测器高低温测试系统
- 本发明一种多象限光电探测器高低温测试系统,用于测试多象限光电探测器在高低温条件下的电参数。它包括,一个电连接直流稳压电源的示波器,内置测试夹具的高低温箱,在示波器与所述高低温箱之间,电连接有一个带有选通控制面板的选通电路...
- 钱煜余永琦周小燕苏洁梅王鸥李潇郭勇周红轮何伟祁祖峰向秋澄柯尊贵刘从吉胡卫英
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- 2μm激光探测器的设计和制备
- 通过分析2μm波长的差分吸收雷达(DIAL)用于测量大气气象参数和CO2分布等测量对激光探测器的技术要求,介绍了相应的2μm波长光电二极管探测器的技术指标.根据该指标进行了器件的材料、材料结构和器件结构设计.其外延材料采...
- 石柱王鸥
- 关键词:光电二极管暗电流噪声
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- 32×32 Si盖革模式激光焦平面探测器
- 2024年
- 为了满足350 nm~1100 nm波长范围内远距离及微弱激光3维成像探测的需求,提出了一种规模为32×32的盖革模式硅激光焦平面阵列探测器,它主要由硅雪崩光电二极管阵列、读出电路芯片、微透镜阵列、半导体制冷器、引脚网格阵列壳体等元件组成。硅雪崩光电二极管焦平面阵列采用拉通型N^(+)-Π_(1)-P^(-)-Π_(2)-P^(+)结构,工作在盖革模式下,通过Si片背面抛磨减薄及盲孔刻蚀技术,实现了纤薄光敏区的加工;读出电路采用主动模式淬灭设计,使电路单元的死时间控制在50 ns以内,并利用一种带相移技术的时间数字转换电路优化方案,在满足时间分辨率不大于2 ns的同时,降低了读出电路芯片的功耗。结果表明,在反向过偏电压14 V、工作温度-40℃的条件下,该探测器在850 nm的目标波长可实现20.7%的平均光子探测效率与0.59 kHz的平均暗计数率,时间分辨率为1 ns,有效像元率优于97%。该研究为纤薄型背进光Si基激光焦平面探测器的研制提供了参考。
- 王江王鸥刘向东袁利柯尊贵郝昕覃文治杨赟秀
- 关键词:传感器技术盖革模式
- 两种APD模式焦平面阵列在非扫描激光三维成像雷达中的运用
- 本文对目前国际上的研究热点-基于焦平面阵列的非扫描激光三维主动成像雷达中的核心器件---APD焦平面阵列作了简要介绍。介绍了APD的两种工作模式:线性和盖革模式;分析了采取不同工作模式时,探测器性能的对比和信号读取方式的...
- 李潇周红轮覃文治王鸥
- 关键词:APD焦平面阵列非扫描盖革模式
- 文献传递
- 一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管,自下而上依次包括:背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升...
- 王江郝昕陈蔚李喆王鸥姚梦麒邓杰刘永罗国凌柯尊贵邓世杰代千