王渊
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学航空科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电迁移作用下微焊点的微观结构变化及宏观塑性变形
- 本文对微焊点在电迁移过程中的微观组织形貌及其演化进行了观察。并利用云纹干涉法测出了通电一千小时以后微焊点的塑性变形。研究表明,微焊点在常温与高温下的电迁移机制不同,微观结构变化不同;常温下微焊点1000h的电迁移塑性变形...
- 王渊苏飞张铮
- 关键词：电迁移IMC云纹干涉法
- 文献传递
- 硅通孔中电致应力的有限元分析
- 2014年
- 在三维电子封装中,硅通孔(TSV,Through-Silicon-Via)是实现芯片垂直互连的关键环节,其可靠性至关重要.随着硅通孔中电流密度的增大,电致应力对TSV可靠性的影响也越来越大.基于该耦合方程和有限元的一般原理,详细地推导了弹性材料属性下TSV内部的电致应力、应变的有限元分析模型;利用ABAQUS中的用户自定义单元(user defining element)接口,实现了该模型的有限元计算,并利用解析解对该有限元模型的正确性进行了验证.利用有限元模型对TSV中铜填充的电迁移问题进行了分析计算,描述了铜填充在电迁移过程中电致应力、应变以及空位浓度的演化过程和分布规律,为三维电子封装可靠性的全面评估提供了一定的依据.
- 苏飞卢子兴刘萍王渊
- 关键词：电迁移有限元
