王建超
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家科技重大专项天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 光学石英玻璃CMP抛光液的研究
- 2016年
- 针对光学石英玻璃在表面化学机械抛光(CMP)过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,提出了采用低抛光压力和低磨料体积分数的CMP方法。机械作用是引起表面及亚表面损伤的关键因素,低抛光压力可以有效降低抛光过程中施于晶体表面的机械作用,抛光液中低磨料体积分数既可降低一定的机械作用又可降低由于高磨料体积分数引起的表面沾污。在降低机械作用的基础上,为获得较高的去除速率和较佳的表面质量,选用大分子胺碱作为pH调节剂,以增加质量传递作用。通过大量实验证实,粒径60 nm的硅溶胶磨料体积分数为8%、活性剂体积分数为5%、螯合剂体积分数为1%、pH值为9和抛光压力为1 psi(1 psi=6 895 Pa)的条件下,可获得较高的去除速率和较佳的表面质量,此时的去除速率为52.8 nm/min、表面粗糙度为0.126 nm。此结果可对业内此类材料的超精密加工提供一定的参考。
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- 关键词：石英玻璃去除速率表面粗糙度
- 基于PSO算法的CMOS运算放大器优化设计
- 2008年
- 针对CMOS运算放大器设计中缺乏自动设计工具,采用手工设计很难提高电路性能的问题,基于群智能技术提出了一种改进的粒子群优化算法(PSO)来进行全局优化求解.主要将CMOS运算放大器的电路性能解析方程转化成粒子位置的求解,先初始化粒子的速度和位置,然后不断迭代更新,直到搜索出全局最优值.仿真结果表明,该方法可以提高CMOS运算放大器的性能,在精度和速度上优于遗传算法和基本PSO算法的设计效果.
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- 关键词：CMOS运算放大器PSO算法优化设计
- 蓝宝石衬底CMP中温度控制对速率的影响被引量：2
- 2015年
- 化学机械抛光(CMP)是固体物质表面超精密加工最重要的方法之一,温度是影响CMP过程中化学反应快慢及材料去除速率的重要因素之一.本文重点研究了蓝宝石衬底CMP过程中抛光前期温度上升时间对最终抛光效果的影响,并采用原子力显微镜观察表面粗糙度,通过测厚仪测量去除厚度.实验结果表明,通过小流量快启动方式,减少温度上升时间,可以有效提高抛光去除速率,改善去除速率均匀性.在工作压力为0.1 MPa时,抛光开始15 min后使温度提升到35℃,抛光速率为4.07 m/h,片内速率非均匀性为4.73%,粗糙度为0.174 nm.
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- 关键词：蓝宝石衬底化学机械抛光温度控制去除速率
- pH调节剂对蓝宝石衬底CMP的影响被引量：4
- 2016年
- 化学机械抛光(CMP)是固体物质表面超精密加工的重要方法,抛光液的p H值是影响蓝宝石衬底CMP过程中化学反应快慢及材料去除速率和表面粗糙度的重要因素之一。重点研究了不同p H调节剂对蓝宝石衬底去除速率以及表面状态的影响。实验中分别选用了3种p H调节剂:有机碱(大分子螯合剂)、无机碱(KOH)和混合碱,并在相同工艺条件下对蓝宝石衬底进行CMP。实验结果表明:在抛光液p H值为10时,有机碱作为p H调节剂,去除速率为2.6μm/h,表面粗糙度为0.493 nm;无机碱作为p H调节剂时去除速率达到2.9μm/h,表面粗糙度0.336 nm;在混合碱中,螯合剂与固定浓度的KOH比为1∶20(体积比)时,速率为3.23μm/h,表面粗糙度为0.226 nm。用混合碱作为p H调节剂可有效实现蓝宝石衬底的高速去除速率及低表面粗糙度。
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- 关键词：蓝宝石去除速率混合碱
