燕红
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
- 供职机构：郑州铁路职业技术学院更多>>
- 发文基金：广西信息材料重点实验室主任基金山东省自然科学基金石家庄市科技局“科技支撑计划项目”更多>>
- 相关领域：理学文化科学化学工程一般工业技术更多>>
- 光学透明多晶尖晶石的烧结性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用高纯、超细的尖晶石粉体,用真空烧结法结合热压和热等静压制备技术制备光学透明多晶尖晶石,研究了制备工艺条件对透明尖晶石的密度和微观结构的影响等。研究表明:多晶尖晶石陶瓷在烧结过程中,其密度随着烧结温度和烧结时间增加而线性增长,高的烧结温度导致大幅度的晶粒长大。
- 燕红陈彬黄存新
- 关键词：尖晶石微观结构烧结温度
- 浓硫酸和铜反应中二氧化硫的检测研究被引量：1
- 2010年
- 根据浓硫酸和铜反应的实验,对浓硫酸的浓度、铜片的大小、反应温度、硫酸铜的确认等进行了研究,对二氧化硫的检测寻找了一种新的方法。达到了操作方法简单、迅速、现象明显的效果。
- 陈彬燕红
- 关键词：浓硫酸铜二氧化硫
- 溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
- 2013年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。
- 王华燕红黄竹许积文杨玲
- 关键词：溅射功率光电性能
- 钒酸铜纳米线的制备及光吸收性能被引量：4
- 2011年
- 以CuCl2和NH4VO3为原料,采用水热法制备了α-CuV2O6纳米线。采用X射线衍射(XRD)研究了所得α-CuV2O6纳米线的晶相特征,采用场发射扫描电镜(FE-SEM)及透射电镜(TEM)观察产物的微观形貌,利用X-射线能谱(EDS)及X-射线光电子能谱(XPS)对样品的组成进行了分析,并采用紫外-可见漫反射(UV-vis DRS)测定了样品的光吸收性能。紫外-可见漫反射测试显示α-CuV2O6纳米线具有较宽的紫外-可见光吸收范围。
- 张绍岩燕红高岩磊常永芳牟微
- 关键词：水热法紫外-可见吸收
- 溅射压强和退火气氛对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响被引量：1
- 2011年
- 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85%以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降。
- 王华燕红许积文江民红杨玲
- 关键词：磁控溅射溅射压强光电性能
- 一种组合型辅助钉钉装置
- 本实用新型公开了一种组合型辅助钉钉装置，包括工作台面和调位螺杆，所述工作台面底部设置有支撑底座，所述工作台面一侧壁上设置有导轨，所述导轨内设置有滚轴，所述导轨一侧设置有固定板一，所述固定板一一侧设置有固定板二，所述工作台...
- 邰葆清张艺超燕红赵小伟王鹏飞袁昊史晓峰杜犇
- 文献传递
- 一种连翘挥发油提取装置
- 本实用新型属于挥发油提取设备技术领域，具体涉及一种连翘挥发油提取装置，包括粉碎机构、冷凝及分离机构和蒸馏机构，粉碎机构由滤网、电机、加料口、粉碎机箱和转轴组成，蒸馏机构由提取罐、加热器、排料口和加水口组成，冷凝及分离机构...
- 陈彬燕红方艳
- 文献传递
- 过渡金属配合物构型畸变探究
- 2007年
- 分析了八面体配合物和四面体配合物畸变的原因,给出了判断八面体配合物和四面体配合物畸变的一般方法:配合物是否发生畸变要看中心离子电子云是否对称分布,若对称分布,就具有规则的八面体或四面体构型,否则,将会发生变形。
- 陈彬燕红骆定法
- 关键词：过渡金属
- 含二氧化钛纳米复合膜的制备及对甲基橙的光催化降解被引量：6
- 2012年
- 采用层层(LbL)自组装技术制备了含TiO2的复合膜。原子力显微镜(AFM)表征发现TiO2纳米粒子和磷钨酸聚阴离子被成功的组装到了复合膜中;以甲基橙染料废水的降解反应为模型,研究了纳米复合膜催化剂的光催化效率,发现(TiO2/PW12)n复合膜的光催化效率明显低于(PSS/TiO2)10,说明在pH值为6.4的近中性条件下,TiO2和PW12间没有表现出协同效应;同时考察了甲基橙初始浓度和复合膜中聚电解质层的影响。通过LbL技术把催化剂固载在玻璃片上解决了催化剂的回收问题,而且多层膜被重复使用四次后仍能保持较高的催化活性。
- 牛萍燕红
- 关键词：二氧化钛纳米复合膜光催化降解甲基橙
- Nd掺杂对磁控溅射Bi_(4-x)Nd_xTi_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响
- 2013年
- 采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能。Nd掺杂量x=0.30～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr>250,介电损耗tanδ<0.1,剩余极化Pr=20.6μC/cm2,Ec<150 kV/cm。Ag/Bi4-xNdxTi3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V曲线表明该异质结可实现极化存储,其记忆窗口达1.6 V。但掺杂量不宜过多,当Nd掺杂量达到0.45以后,薄膜的介电、铁电性能反而有所下降。
- 陈彬燕红
- 关键词：铁电薄膜介电性能铁电性能
