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段理: 作品数：51 被引量：37H指数：3; 供职机构：长安大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>; 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

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一种近紫外光激发的白光LED用蓝光荧光粉及其制备方法: 本发明提供了一种近紫外光激发的白光LED用蓝光荧光粉及其制备方法，所述的蓝光荧光粉的化学式为Ca4‑xZrGe3O12：xBi3+；...; 蒋自强孙志华于晓晨段理闵一桐黄慈航吕婉毓; 文献传递

一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法: 本发明涉及一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法，该紫外光探测器为光电导型紫外光探测器，包括柔性光敏薄膜和在薄膜上的电极；具体的,所述的柔性光敏薄膜为旋涂在透明柔性塑料膜上的PEDOT‑ZnO薄膜，按质...; 段理樊继斌程晓姣于晓晨田野何风妮; 文献传递

一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED及其制备方法: 本发明公开了一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质...; 段理魏星郭婷婷王昭; 文献传递

一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法: 本发明涉及一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法，该方法包括两个利用石墨烯的环节，分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层，和以氮掺杂的石墨烯作为填充物；具体的，以氮掺杂的石墨烯作为功能层，是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋...; 段理樊继斌于晓晨田野程晓姣何凤妮; 文献传递

微孔二氧化钛光催化陶瓷的制备及力学性能研究: TiO2及TiO2复合薄膜在紫外光作用下可以实现有机物的光催化降解，在污染治理、室内空气净化、自清洁涂层等方面有着广阔的应用前景.针对目前应用过程中材料失效的问题，采用浸渍工艺制备了微孔TiO2陶瓷，研究了制备工艺对其力...; 陈永楠付鑫唐飞翔段理; 关键词：二氧化钛多孔陶瓷机械性能

Ⅱ型C_(2)N/ZnO异质结水分解光催化剂的第一性原理研究: 2023年; 基于单层C_(2)N和ZnO,构建了一种新型2D范德华(vdW)异质结。在第一性原理下进行密度泛函理论计算,系统地研究了C_(2)N/ZnO异质结的光催化应用。结果表明,C_(2)N/ZnO异质结具有1.68 eV的直接带隙,其Ⅱ型带对准可以促使光生电子和空穴分离在不同层上。由Mulliken电荷布局分析可知,C_(2)N层有0.53个电子转移到ZnO层,在异质结界面处形成了一个较强的内建电场E int,抑制了光生电子空穴对的复合。此外,C_(2)N/ZnO异质结的带边位置跨过了pH=2~7时的水氧化还原电位,同时拉伸应变可以增大其光催化水分解pH范围。特别地,C_(2)N/ZnO异质结保留了高载流子迁移率和优异的光吸收性能,太阳能-氢能(STH)转换效率可达到24.6%。因此,C_(2)N/ZnO异质结是一种具有应用前景的水分解光催化剂。; 陈晶亮栾丽君张茹张研杨云刘剑田野魏星樊继斌段理; 关键词：第一性原理光催化

一种ZnO/PVK-TFB杂化LED及其制备方法: 本发明涉及一种ZnO/PVK-TFB杂化LED及其制备方法，该方法包括两个利用石墨烯的环节，分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层，和以氮掺杂的石墨烯作为填充物；具体的，以氮掺杂的石墨烯作为功能层，是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋...; 段理樊继斌于晓晨田野程晓姣何凤妮

N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的应用: 本发明公开了N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的应用，以NO2和MoCl3作为掺杂源对氧化石墨烯进行掺杂，掺杂后的石墨烯能带结构发生了变化，对官能团的约束能力发生了改变，提高了...; 段理樊继斌于晓晨田野程晓姣何凤妮; 文献传递

银掺杂ZnO薄膜光电功能材料的研究进展被引量：3: 2010年; 近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性。这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路。综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。; 段理于晓晨王卓樊小勇; 关键词：P型光电特性

CaCu_3Ti_4O_(12)/P(VDF-TrFE)复合材料的制备和介电性能研究被引量：1: 2018年; 采用固相法制备了微米级CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,将CCTO粉体作为填料与P(VDF-TrFE)(摩尔比为70/30)共聚物进行热压复合,主要研究了热压温度和CCTO填料含量对CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的微结构和介电性能的影响。CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料中CCTO粉体较均匀地分散于P(VDF-TrFE)共聚物中,形成0-3型复合。随着热压温度的升高,P(VDF-TrFE)基体对CCTO陶瓷颗粒的包覆性增强,结合更紧密。随着CCTO体积分数的增加,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电常数和介电损耗都有所增大,主要分别源于界面极化和填料自身较高的介电损耗。随着热压温度的升高,CCTO添料与P(VDFTrFE)共聚物结合更紧密,界面缺陷减少,复合材料的介电常数逐渐增大。而其介电损耗在一定的频率范围内随热压温度的升高变化不大。当CCTO体积分数为50%、热压温度为140℃时,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料介电性能最优。不同的复合材料介电理论模型对比表明,Yamada模型与实验数值重合度最高,可有效地预测CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电增强现象。; 任新苗倪磊段理苏媛; 关键词：介电性能热压温度