林志成
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用于TFT-LCD驱动电路的输出缓冲放大器被引量：3
- 2009年
- 设计了一种用于TFT-LCD驱动的低功耗CMOS缓冲放大器。该放大器在AB类缓冲放大器的基础上,结合辅助的B类放大器,能够驱动大容性负载,以较低的功耗达到了LCD驱动的速度要求。在0.15μm CMOS工艺模型、20 nF电容负载和5.5 V电源电压下,该缓冲放大器的静态功耗为40μW,1%精度的建立时间为7μs。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- 磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响
- 2009年
- 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.
- 陈阿青邵庆益林志成
- 关键词：单壁碳纳米管第一性原理计算形成能态密度
- 一种用于LCD驱动的低功耗输出缓冲放大器被引量：3
- 2010年
- 在AB类输出级的基础上,结合正反馈辅助的B类输出级,提出了一种用于LCD驱动电路的大输出摆率、低功耗的输出缓冲放大器。在0.15μm高压CMOS工艺模型下,该放大器能够驱动0～20nF范围的容性负载,静态电流为7μA,1%精度建立时间小于6μs,满足了LCD驱动电路行建立时间的要求;通过采用共源共栅频率补偿结合输出零点补偿技术,较好地满足了大动态范围容性负载的要求。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- TFT-LCD驱动控制芯片中的源极驱动模块的设计
- 自从LCD(液晶显示器)自上世纪70年代在计算机和手表使用起自今30多年，整个FPD(平板显示器)产业有了长足的发展，出现了多种新型平板显示技术，尤其是彩色薄膜晶体管显示器件(TFT-LCD)，其牛产技术日益成熟，是目前...
- 林志成
- 关键词：TFT-LCDBUFFERLHP
- ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性
- 2008年
- 随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n+-n结,继续加大电压会使阳极-阴极间完全热烧毁的结论。
- 路香香罗宏伟姚若河林志成
- 关键词：扩散电阻二次击穿
