林德旭
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 离子注入氮化镓光致发光研究
- 本工作采用离子注入的方法在GaN晶体中引入杂质，并在退火前后应用光致发光的手段研究离子注入对晶体发光的影响。样品为用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长的约2μm的n型GaN，选择注入的离子有镓(Ga)、镁(Mg)和硅(Si...
- 林德旭
- 关键词：离子注入光致发光氮化镓
- 文献传递
- 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究被引量：4
- 2006年
- 利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.
- 张小东林德旭李公平尤伟张利民张宇刘正民
- 关键词：氮化镓光致发光谱离子注入
- N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
- 2006年
- 采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的光致发光谱的分析,给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱,进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷。
- 张小东李公平张利民尤伟张宇刘正民林德旭
- 关键词：氮化镓光致发光谱离子注入
