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稀土抛光粉的制备方法: 本发明公开了一种稀土抛光粉的制备方法，包括：制备稀土元素镧、铈、钐、钇的氟碳酸稀土，氟的加入量为REO的5％～10％；氟碳酸稀土的焙烧和粒度分级制得稀土抛光粉；稀土抛光粉包括：氧化镧、氧化铈、氧化钐和氧化钇。本发明通过精...; 黄绍东杨国胜张存瑞周薇赵延刘露涛程磊杜悦王泽门宇剑; 文献传递

稀土抛光粉及其制备方法: 本发明公开了一种稀土抛光粉的制备方法，包括：制备稀土元素镧、铈、钐、钇的氟碳酸稀土，氟的加入量为REO的5％～10％；氟碳酸稀土的焙烧和粒度分级制得稀土抛光粉。本发明还公开了一种稀土抛光粉，包括氧化铈和氧化钇，氧化铈的稀...; 黄绍东杨国胜张存瑞周薇赵延刘露涛程磊杜悦王泽门宇剑; 文献传递

抛光浆料的组成对抛光性能的影响: 2020年; 稀土抛光粉在使用时通常调制成抛光浆料,对抛光浆料在使用过程中的抛光性能及沉降性进行了研究.认为分散剂、纤维素醚、碱土金属碳酸盐与稀土抛光粉定量配置的组合物有较高的研削力,有利于抛光粉的循环使用.; 周薇周薇常宏涛杨国胜杨国胜; 关键词：稀土抛光粉分散剂悬浮液

高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料及其制备工艺: 本发明公开了一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料，包括：水、氧化铈、分散剂、聚甲基丙烯酸盐、pH缓冲调节剂；按照质量百分比计，氧化铈的含量为0.3‑25％，聚甲基丙烯酸盐为固体氧化铈的0.05％‑5％，分散剂为聚甲基丙烯...; 崔凌霄谢兵杨国胜张存瑞刘致文赵延程磊杜悦张倩悦

一种稀土抛光粉焙烧回转窑的卸料装置: 本实用新型涉及一种稀土抛光粉焙烧回转窑的卸料装置，包括卸料漏斗，其特征是：卸料漏斗上部设有截面为弧面的水平通槽，在水平通槽下方中部设有漏斗下料口，水平通槽下部与漏斗下料口之间通过斜坡面过渡，水平通槽能够与焙烧回转窑窑体匹...; 崔凌霄谢兵杨国胜李春旭刘致文赵延杜悦张喜龙王健张倩悦乔军王传国白小羽程磊周薇; 文献传递

氯化铈溶液喷雾焙烧制备纳米氧化铈实心粉体的研究被引量：5: 2017年; 以氯化铈溶液为原料,添加一定浓度的柠檬酸,在管式炉内通过喷雾焙烧的方法制备纳米氧化铈实心微粉,在制备研究过程中,采用差热、XRD、SEM等手段对其反应过程、产物转化率和氯根残留的影响因素及实心粉体的制备条件进行实验分析。结果表明,焙烧产物CeO_2的转化率随焙烧温度的升高而升高,随CeCl_3溶液浓度的升高而降低,在50 g/L浓度条件下,焙烧温度达到800℃时,转化率可达到97.4%;与CeO_2的转化率相反,焙烧产物中Cl^-的残留量随焙烧温度的升高而降低,随CeCl_3溶液浓度的升高而升高,在50 g/L浓度条件下,焙烧温度达到800℃时,焙烧产物中Cl^-的残留量为0.47%;通过在氯化铈溶液中加入不同浓度柠檬酸的的喷雾焙烧实验表明,焙烧温度600℃、氯化铈溶液浓度100 g/L、柠檬酸浓度0.029 mol/L时,可以得到结晶度较高、球形度较好的CeO_2实心球粉末,且柠檬酸的加入对产物CeO_2的转化率基本没有影响。; 杨国胜边雪崔凌霄谢兵姚云龙吴文远

高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料的制备工艺: 本发明公开了一种高选择性浅槽隔离化学机械抛光浆料的制备工艺，制取碳酸铈浆料，碳酸铈浆料经升温、灼烧制备纳米级的氧化铈；将氧化铈用去离子水调浆，经高速剪切乳化、高速离心分离、超声波分散后制得氧化铈抛光浆料。本发明得到的CM...; 崔凌霄谢兵杨国胜张存瑞刘致文赵延程磊杜悦张倩悦; 文献传递

稀土抛光粉颜色的测定及影响因素被引量：1: 2007年; 基于Hunter R S提出的Lab空间色彩体系建立了稀土抛光粉颜色的定量表示方法。该方法可以明确表示出稀土抛光粉的明度、色调等特征。并且针对少钕碳酸稀土生产的稀土抛光粉影响颜色变化的几个因素进行了研究,找出了焙烧温度及焙烧时间对抛光粉色度的影响关系,为将来把抛光粉色度参数引入到稀土抛光粉性能评价和控制指标提供了可能。; 李学舜谢兵杨国胜吴文远涂赣峰; 关键词：稀土抛光粉色度

CMP用铈钇研磨材料及其制备方法: 本发明公开了一种CMP用铈钇研磨材料及其制备方法，制备方法包括：将铈、钇的可溶性盐分别溶解，混合后得到钇铈混合溶液，采用均相共沉淀法制得氢氧化铈钇；将氢氧化铈钇中的低价铈氧化成高价铈，反应物过滤后将滤饼放入高压反应釜中，...; 周薇赵延刘露涛程磊杜悦王泽门宇剑黄绍东杨国胜张存瑞

铈基稀土抛光粉焙烧过程的研究被引量：3: 2013年; 针对以碳酸镧铈为原料制备稀土抛光粉工艺,对工艺流程中的焙烧过程进行了研究,采用XRD、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等分析手段对焙烧前驱体及焙烧产物进行分析对比。结果表明,铈基抛光粉的焙烧过程主要分为稀土碳酸盐的脱水过程、氟碳酸盐分解过程、稀土氟氧中间化合物的生成过程、稀土氧化物的最终转变生成过程;稀土抛光粉主要有两相构成,一相为CeO2晶格中固溶部分La3+,另一相为CeLa2O3F3,且在CeO2与CeLa2O3F3之间的界面没有形成很好的外延关系,而是存在一定的界面混合;焙烧过程中,主要依靠非均匀形核,形核后CeO2晶粒生长过程中,焙烧450 min,之前(111)面晶粒尺寸的生长速度要大于(200)晶面,450 min之后,整个晶粒形状基本呈球形。且随焙烧时间的增加,晶格常数和晶格畸变的变化趋势是逐渐减小并趋于稳定。; 杨国胜崔凌霄谢兵黄绍东吴文远; 关键词：稀土抛光粉焙烧

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