杨东林
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型被引量：1
- 2007年
- 体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.
- 王钦孙伟锋刘侠杨东林
- 关键词：自热温度分布
- 高压VDMOS电容的研究被引量：7
- 2007年
- 本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.
- 刘侠孙伟锋王钦杨东林
- 关键词：VDMOS电容导通电阻
- 700V VDMOS设计
- VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。因其具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数等一系列优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。目前，我国在VDMOS设计领域处于起步阶段，基础还很薄弱。
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- 杨东林
- 关键词：VDMOS击穿电压导通电阻版图功率半导体器件
- 文献传递
- 700V VDMOS设计被引量：4
- 2007年
- 主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700V VDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进行优化.重点讨论外延电阻率及厚度,栅的长度和PBODY结深对VDMOS器件BV和Rdson的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳结构参数.同时还分析了集成电路中的VDMOS与普通分立VDMOS器件在器件结构设计上的主要差别.
- 杨东林孙伟锋刘侠
- 关键词：VDMOS击穿电压特征导通电阻数值模拟
