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杜晓阳

作品数：24 被引量：9H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 12篇可控硅
  • 10篇静电放电
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 8篇ESD
  • 7篇氧化层
  • 7篇静电
  • 6篇电路
  • 6篇静电防护
  • 6篇集成电路
  • 5篇电压
  • 5篇电压值
  • 4篇芯片
  • 4篇开关
  • 4篇开关电路
  • 4篇衬底
  • 3篇电流
  • 3篇有效面积
  • 2篇电路芯片
  • 2篇信号

机构

  • 24篇浙江大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 24篇杜晓阳
  • 22篇董树荣
  • 21篇韩雁
  • 18篇霍明旭
  • 17篇黄大海
  • 12篇崔强
  • 8篇杜宇禅
  • 8篇洪慧
  • 8篇张吉皓
  • 8篇曾才赋
  • 8篇斯瑞珺
  • 8篇陈茗
  • 5篇宋波
  • 5篇李明亮
  • 4篇丁扣宝
  • 4篇朱科翰
  • 1篇王德苗
  • 1篇郭清
  • 1篇于宗光
  • 1篇郭维

传媒

  • 1篇真空
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇1988
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路，它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接，VirtualVDD...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
文献传递
深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
2009年
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。
朱科翰杜晓阳于宗光韩雁崔强霍明旭董树荣
关键词：静电防护深亚微米传输线脉冲
一种反相器内嵌的可控硅
本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由N阱指向P阱的方向，所述的N阱和P阱上依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区和第三P...
黄大海崔强霍明旭杜晓阳丁扣宝董树荣韩雁
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+...
曾才赋韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅杜晓阳洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种用于静电放电保护的可控硅
本发明公开了一种用于静电放电保护的可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由P阱指向N阱的方向，所述的P阱和N阱上依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注...
黄大海崔强霍明旭杜晓阳丁扣宝董树荣韩雁
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
集成电路芯片输入\输出引脚ESD防护的开关电路
本发明公开了一种用于集成电路芯片输入\输出引脚ESD防护的开关电路，它包括：MP0传输管(40)和MN0传输管(41)构成CMOS信号传输门，用于电路正常工作时传输正常信号；MP1选择性开关(42)和MN1选择性开关(4...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
文献传递
多晶硅级连二极管
本发明公开了一种多晶硅级连二极管，包括P衬底，P衬底两端分别设有N阱，每个N阱内设有两个底部连成一体的深N阱，两个深N阱之间设有P阱，每个深N阱上设有N+扩散有源区，P阱上设有一P+扩散有源区和一N+扩散有源区，所有扩散...
杜晓阳朱科翰董树荣韩雁
文献传递
CMOS射频集成电路片上ESD防护研究
静电放电(ESD)已经成为影响集成电路产品可靠性的严重问题，所有芯片都必须设计防护电路来减轻ESD的威胁。在射频集成电路中，ESD防护设计面临更大的挑战，例如：由ESD防护器件引入额外寄生如电容、噪声等，会造成射频核心电...
杜晓阳
关键词：射频集成电路寄生电容晶闸管可靠性分析
文献传递
一种反相器内嵌的可控硅
本发明公开了一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱和P阱，由N阱指向P阱的方向，所述的N阱和P阱上依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区和第三P...
丁扣宝黄大海崔强霍明旭杜晓阳董树荣韩雁
文献传递
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