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李湘都

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:河北工业大学更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电路
  • 1篇研磨
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子技术
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇介质
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇化学机械全局...
  • 1篇机械抛光
  • 1篇集成电路
  • 1篇光洁度
  • 1篇硅单晶
  • 1篇SIO
  • 1篇ULSI
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 5篇河北工业大学

作者

  • 5篇刘玉岭
  • 5篇李湘都
  • 4篇张志花
  • 4篇张德臣
  • 3篇李薇薇
  • 2篇徐晓辉
  • 2篇王娟
  • 2篇张楷亮
  • 2篇檀柏梅
  • 2篇周建伟
  • 1篇张西慧
  • 1篇张存善
  • 1篇韩清涛
  • 1篇邢哲
  • 1篇袁育杰
  • 1篇高鹏
  • 1篇王永滨
  • 1篇李广福
  • 1篇张建新

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1994
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
刘玉岭檀柏梅李薇薇张楷亮张存善邢哲张德臣张志花李湘都
ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段,人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺,系统的研究CMP工艺过程参数,提出了介质CMP化学作用模型,通过增加化学作用,提高抛光速率,加入表面活性剂...
关键词:
关键词:ULSI化学机械全局平面化
硅单晶研磨片表面状态的分析研究被引量:3
1994年
硅单晶研磨片表面状态的分析研究河北工学院(天津300130)刘玉岭,韩清涛,徐晓辉,李湘都硅片研磨是硅器件衬底加工过程中一个重要工序,研磨表面状态的好坏对后步工序的加工直至器件质量,尤其VLSI与ULSI的制备性能与成品率有着极重要影响。但是,这方面...
刘玉岭韩清涛徐晓辉李湘都
关键词:硅单晶研磨
用化学方法提高固体表面光洁度的研究及应用
刘玉岭徐晓辉李湘都王永滨张德臣张志花
该项目属于精细化学工程与表面化学工程领域,主要用于提高固体材料表面光洁度:去除吸附颗粒、控制金属离子在表富集、降低粗糙度,如:微电子器件高质量硅单晶抛光片制备;0.35μm以下甚大规模集成电路(ULSI)多层布线立体结构...
关键词:
关键词:表面光洁度大规模集成电路化学机械抛光
纳米材料在微电子技术中的应用
刘玉岭王娟檀柏梅张建新李薇薇周建伟张西慧张楷亮张志花李湘都张德臣
成功实现了分散度小的粒径可控生长,有效控制了金属杂质含量;解决了纯度及稳定性问题,提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围,具有较小分散度的硅溶胶,为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后,用于微电子用抛...
关键词:
关键词:纳米材料微电子技术
铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术及其应用的研究
刘玉岭李薇薇王娟周建伟金善明杨福山高鹏孙守梅袁育杰李广福张德臣张志花李湘都
采用高PH值(一般PH值大于10.5)抛光液,实现了抛光高速率、反应产物可溶、易于清洗;抛光速率可控,防止设备腐蚀,减少了金属离子的污染;按照速率的要求来确定温度;利用络合剂解决在碱性介质下氧化物和氢氧化物的沉淀问题;利...
关键词:
关键词:CMP技术
共1页<1>
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