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李湘都
作品数:
5
被引量:3
H指数:1
供职机构:
河北工业大学
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
刘玉岭
河北工业大学
张德臣
河北工业大学
张志花
河北工业大学
李薇薇
河北工业大学
徐晓辉
河北工业大学
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张西慧
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韩清涛
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邢哲
1篇
袁育杰
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高鹏
1篇
王永滨
1篇
李广福
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张建新
传媒
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半导体技术
年份
2篇
2005
1篇
2003
1篇
2000
1篇
1994
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5
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ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
刘玉岭
檀柏梅
李薇薇
张楷亮
张存善
邢哲
张德臣
张志花
李湘都
ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段,人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺,系统的研究CMP工艺过程参数,提出了介质CMP化学作用模型,通过增加化学作用,提高抛光速率,加入表面活性剂...
关键词:
关键词:
ULSI
化学机械全局平面化
硅单晶研磨片表面状态的分析研究
被引量:3
1994年
硅单晶研磨片表面状态的分析研究河北工学院(天津300130)刘玉岭,韩清涛,徐晓辉,李湘都硅片研磨是硅器件衬底加工过程中一个重要工序,研磨表面状态的好坏对后步工序的加工直至器件质量,尤其VLSI与ULSI的制备性能与成品率有着极重要影响。但是,这方面...
刘玉岭
韩清涛
徐晓辉
李湘都
关键词:
硅单晶
研磨
用化学方法提高固体表面光洁度的研究及应用
刘玉岭
徐晓辉
李湘都
王永滨
张德臣
张志花
该项目属于精细化学工程与表面化学工程领域,主要用于提高固体材料表面光洁度:去除吸附颗粒、控制金属离子在表富集、降低粗糙度,如:微电子器件高质量硅单晶抛光片制备;0.35μm以下甚大规模集成电路(ULSI)多层布线立体结构...
关键词:
关键词:
表面光洁度
大规模集成电路
化学机械抛光
纳米材料在微电子技术中的应用
刘玉岭
王娟
檀柏梅
张建新
李薇薇
周建伟
张西慧
张楷亮
张志花
李湘都
张德臣
成功实现了分散度小的粒径可控生长,有效控制了金属杂质含量;解决了纯度及稳定性问题,提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围,具有较小分散度的硅溶胶,为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后,用于微电子用抛...
关键词:
关键词:
纳米材料
微电子技术
铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术及其应用的研究
刘玉岭
李薇薇
王娟
周建伟
金善明
杨福山
高鹏
孙守梅
袁育杰
李广福
张德臣
张志花
李湘都
采用高PH值(一般PH值大于10.5)抛光液,实现了抛光高速率、反应产物可溶、易于清洗;抛光速率可控,防止设备腐蚀,减少了金属离子的污染;按照速率的要求来确定温度;利用络合剂解决在碱性介质下氧化物和氢氧化物的沉淀问题;利...
关键词:
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CMP技术
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