李兴鸿
- 作品数：17 被引量：22H指数：3
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- 器件温度测试的影响因素
- 2014年
- 本文从器件用热像仪的测温过程、常用公式出发,针对测温条件进行了探讨,对公式里面的指数n的取值进行了推算。认为n可取4,但常数C和指数n的取值与波长范围和温度范围有关,要匹配。同时对IC温度分布的精确测量条件也进行了总结。
- 李兴鸿赵春荣赵俊萍
- 关键词：红外热像仪辐射温度
- 集成电路三温测试数据在失效分析中的应用被引量：7
- 2013年
- 在集成电路的失效分析中,测试数据有非常重要的作用。从集成电路的三温电性能测试数据出发,论述了电性能测试数据与集成电路基本元器件参数的关系,对理清分析思路和揭示集成电路失效的根本原因有一定的帮助。
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- 关键词：测试数据集成电路
- CMOS数字IC管脚状态评估被引量：1
- 2015年
- 首先,根据CMOS数字IC管脚间的等效结构,给出了无偏置时任意两管脚之间的电压;其次,探讨了地开路时的输出管脚的状态;然后,提取了电源浮空时的等效电路;最后,利用所提取的等效电路,对二极管结构电源浮空电位和浮阱结构电源浮空电位进行了计算。
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- 关键词：管脚
- PMCM器件的失效根因分析
- 2015年
- 从塑封多芯片组装(PMCM)器件的电性能测试数据出发,根据器件的环境试验过程和MCM的材料结构、芯片性能,得出了某PMCM器件的失效性质与塑封封装材料、工艺相关的结论;同时讨论了一些PMCM失效分析问题。
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- 关键词：温度测试
- 电测试在集成电路失效分析中的应用被引量：1
- 2003年
- 一、电测试在电路失效分析中的重要性集成电路失效分析中涉及的失效模式一般以电性能功能失效、电性能参数失效比例最大。电性能功能失效主要指开短路失效,逻辑输出不正确或模拟输出错误;电性能参数失效主要指诸如电压、电流、电阻、温度系数、失调电压、开关参数等详细的电参数失效。失效分析的一个重要过程就是故障复现,也就是要判断出失效的情况是否是和委托方提供的失效模式是一致的,委托方描述的情况是否真实可靠,做到双方对器件的失效情况意见一致。可见在失效分析中遇到的集成电路电性能失效模式时。
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- 关键词：电测试集成电路
- CMOS IC失效机理与老炼频率的关系探讨被引量：2
- 2016年
- 从老炼试验的原理、CMOS IC的失效机理和功耗等几个方面对CMOS IC的失效机理与老炼频率的关系进行了探讨。通过分析发现,动态老炼的效果与频率的高低的关系不大。希望此结果对老炼方案的编制和老炼试验的实施起到一定的参考作用。
- 李兴鸿赵俊萍
- 关键词：集成电路老炼
- 电路的故障定位
- 本文从某电路的失效现象出发,通过电路的复测,电路版图和电路分析,电路的显微镜和扫描电镜EBIC观察分析,找到了失效位置,得出了输入管脚的PMOS管栅击穿的结论,对失效机理进行了推理.
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- 关键词：静电损伤
- 文献传递
- 一种IC芯片背面观察样品及其制作方法
- 本发明提供了一种IC芯片背面观察样品及其制作方法，所述制作方法为：采用中空PCB板与垫板粘接；将管芯背面粘贴在PCB板中空处；将管芯PAD与PCB焊盘用金丝球焊方式相连；管芯表面及部分焊盘涂绝缘胶并固化；去掉垫板露出管芯...
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- 文献传递
- 一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法
- 本发明提供了一种银浆粘片陶瓷封装器件的取芯片方法，具体为：(1)、将银浆粘片陶瓷封装器件开封后装入玻璃烧杯中；(2)、往玻璃烧杯中加入可溶解银浆的有机溶剂，使银浆粘片陶瓷封装器件完全没入有机溶剂中；(3)、用玻璃盖盖住烧...
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- 文献传递
- 中间电平对CMOS数字电路的影响被引量：1
- 2013年
- 很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I/O这几种状态所产生。对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法。对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值。
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- 关键词：互补金属氧化物半导体数字集成电路大电流
