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施展

作品数:17 被引量:6H指数:2
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:电子电信理学政治法律医药卫生更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 5篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇政治法律
  • 2篇理学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇等离子
  • 6篇等离子体
  • 6篇脉冲等离子体
  • 6篇P型
  • 5篇透明导电
  • 5篇半导体
  • 4篇氧化铜
  • 4篇普通玻璃
  • 4篇P型半导体
  • 3篇透明导电氧化...
  • 3篇分子
  • 2篇单晶
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电特性
  • 2篇电压
  • 2篇电子学
  • 2篇氧化镍
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇水热
  • 2篇水热条件

机构

  • 17篇复旦大学

作者

  • 17篇施展
  • 7篇王颖华
  • 6篇张群
  • 5篇杨铭
  • 3篇张群
  • 2篇张浩宇
  • 2篇周亚明
  • 2篇赵东元
  • 2篇陈民勤
  • 2篇李桂锋
  • 2篇杨铭
  • 1篇肖君
  • 1篇邹亚明
  • 1篇谭华
  • 1篇杨洋

传媒

  • 1篇真空
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2003
  • 1篇2002
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种浓胺体系合成新型磷酸铍分子筛的方法
本发明属无机分子筛技术领域,具体为一种新型结构磷酸铍分子筛的合成方法。它以浓胺为模板,在水热条件下合成纯相、大单晶的磷酸铍分子。通过选用三乙烯四胺、吡啶和哌嗪为模板剂,控制溶胶浓度,调节pH值,可合成拓扑结构为GME(1...
张浩宇陈民勤施展周亚明赵东元
文献传递
掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法
本发明属于透明电子学研究领域,具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜,该薄膜是化学配比为Ni<Sub>1-x</Sub>Cu<Sub>x</Sub>O的掺铜氧化镍...
杨铭张群施展
文献传递
一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域,具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板,利用掺镍氧化铜(Cu<Sub>1-x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)陶瓷靶,在基板温度为室温的条...
张群施展杨铭王颖华
文献传递
一种浓胺体系合成新型磷酸铍分子筛的方法
本发明属无机分子筛技术领域,具体为一种新型结构磷酸铍分子筛的合成方法。它以浓胺为模板,在水热条件下合成纯相、大单晶的磷酸铍分子。通过选用三乙烯四胺、吡啶和哌嗪为模板剂,控制溶胶浓度,调节pH值,可合成拓扑结构为GME(1...
张浩宇陈民勤施展周亚明赵东元
文献传递
p型Cu<sub>1-x</sub>Ni<sub>x</sub>O透明氧化物半导体薄膜的制备及性能分析
本文采用固态反应法成功制备了过渡金属氧化物CuO和NiO的混合物Cu<sub>1-x</sub>Ni<sub>x</sub>O靶材,并首次使用脉冲等离子体沉积方法(Pulsed Plasma Deposition,PPD...
施展
关键词:氧化铜氧化镍
平焦场谱仪在高温超导EBIT上的首次实验结果
高温超导EBIT(电子束离子阱)是上海EBIT 实验室针对超低电子能量设计的等离子体光源。之前在高温超导EBIT 上已经得到了可见光区域的低价态离子的允许跃迁谱线和高价态离子的禁戒跃迁谱线。本工作的主要目的是在上海高温超...
施展李文显赵瑞峰杨洋肖君Roger Hutton邹亚明
关键词:EBIT
一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
本发明属于半导体氧化物材料领域,具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu <Sub>1-x</Sub>Ni <Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合,采用粉末压片机干压成型,用氮气...
张群施展杨铭王颖华
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中国内地志香港的CEPA法律问题研究
当今世界,经济全球化和区域经济一体化成为了一股不可逆转的潮流,与此相适应,全球贸易自由化和区域贸易一体化也蓬勃发展。随着WTO多哈回合谈判的受阻,在全球贸易自由化放慢发展脚步的同时,区域贸易一体化却一枝独秀,正成为国际经...
施展
关键词:CEPA经贸关系
文献传递
P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究被引量:2
2008年
采用渠道火花烧蚀技术,在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜。运用X射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的晶体结构和表面形貌。研究不同的制备条件对薄膜光电性能的影响。结果显示,薄膜表面平整致密,均为p型导电。氩气压强和基板温度对薄膜的电阻率和载流子浓度具有显著影响,例如,随着氩气压强增加,电阻率会先降低再上升,而载流子浓度则先增加再降低。在优化的制备条件下,薄膜的电阻率最小值为0.2Ω.cm,载流子浓度为6.67×1018cm-3,载流子迁移率最大为1.06 cm2V-1S-1。在基板温度Ts=500℃时,获得了室温下最高电导率为50.9 S.cm-1的薄膜。薄膜可见光区域的平均透射率大于60%。
王颖华张群李桂锋施展谭华
关键词:透明导电薄膜P型半导体
一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
本发明属于半导体氧化物材料领域,具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu<Sub>1-x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合,采用粉末压片机干压成型,用氮气作为...
张群施展杨铭王颖华
文献传递
共2页<12>
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