徐幸梓
- 作品数：21 被引量：33H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 氢在化学气相沉积制备碳材料过程中的作用
- 化学气相沉积是目前广泛用于制备碳材料如纳米金刚石、碳纳米管、碳纳米尖端等材料的技术。在制备这些碳材料时,氢气是一种主要的反应气体,它形成的原子氢或离子氢在材料生长过程中对所形成的碳材料具有刻蚀作用,以及与碳材料表面上或内...
- 徐幸梓张力曾丁丁陈玉安韩志范
- 关键词：化学气相沉积脱氢
- 文献传递
- 氢在化学气相沉积制备碳材料过程中的作用
- 化学气相沉积是目前广泛用于制备碳材料如纳米金刚石、碳纳米管、碳纳米尖端等材料的技术.在制备这些碳材料时,氢气是一种主要的反应气体,它形成的原子氢或离子氢在材料生长过程中对所形成的碳材料具有刻蚀作用,以及与碳材料表面上或内...
- 徐幸梓张力曾丁丁陈玉安韩志范
- 关键词：碳材料纳米材料化学气相沉积脱氢反应
- 文献传递
- 离子轰击对金刚石核形成能影响的理论探讨
- 2001年
- 金刚石核化是制备金刚石薄膜的关键。目前 ,负偏压是增强金刚石核化最有效的方法。本工作着重计算了在负偏压增强金刚石核化的过程中 ,金刚石在离子对衬底表面进行轰击导致衬底表面产生微缺陷 (凹坑 )上成核的形成能 ,给出了金刚石的核化能 ,核化密度以及核化速率与凹坑密度的解析函数。结果表明金刚石的核化能随凹坑密度的增大而降低 ,从而导致核化密度及核化速率的提高 ,与文献中的实验结果相一致。分析和讨论了凹坑降低金刚石核形成能的原因。
- 徐幸梓刘天模王必本
- 关键词：形成能凹坑离子轰击金刚石
- 高锰无磁钢ZG25Mn18Cr4中的层错组织
- 2004年
- 通过光学金相、X射线衍射及透射电镜观察,发现ZG25Mn18Cr4钢形变强化后的组织由奥氏体基体和叠加层错组成。形变量对这些层错的数量及形态有很大影响,其中一些层错形变后会由于相互叠加而使表现层错的条纹特征不明显,其形貌很类似于ε马氏体组织。讨论了这种常被误认为ε马氏体的层错组织的形貌特征及形成机理。
- 张丁非彭建徐幸梓
- 关键词：层错形变强化形貌
- 等离子体对低温定向生长碳纳米管的作用被引量：1
- 2005年
- 利用负偏压增强热丝化学气相沉积在低衬底温度(550℃)下催化生长了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它的生长过程,发现低温下碳纳米管能否定向生长依赖于等离子体功率,同时还发现碳纳米管在压强太低时不能够生长。结合有关理论分析,结果表明,当等离子体功率较大时,等离子体形成的强电场对催化剂颗粒的作用导致了碳纳米管的定向生长;而低压下碳纳米管不能够生长是由于碳粒子扩散太快的缘故。
- 王必本党纯徐幸梓
- 关键词：碳纳米管等离子体扩散
- 离子轰击对碳纳米尖端结构的影响
- CH4、NH3和H2为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在无和有辉光放电的条件下制备了不同结构的碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,在有辉光...
- 王必本徐幸梓张兵
- 关键词：离子轰击化学气相沉积辉光放电
- 文献传递
- 碳纳米管在X射线管中的应用
- 迄今碳纳米管的制备技术业已成熟,正逐渐向它的应用进行研究.主要介绍了碳纳米管在X射线管中的应用,给出了两种碳纳米管场致发射X射线管.
- 徐幸梓王必本张兵张力曾丁丁
- 关键词：碳纳米管X射线管场致发射
- 文献传递
- 碳氮纳米结构材料的Raman和XPS分析被引量：2
- 2012年
- 利用等离子体增强热丝化学气相沉积在不同条件下制备了不同结构的碳氮纳米结构材料。用扫描电子显微镜(SEM)、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱(XPS)仪对它们的形貌和结构进行了分析。SEM照片表明在不同的生长条件下可制备出碳氮纳米尖锥、碳氮柱。Raman谱中位于1350和1607cm-1的D和G峰,表明制备的碳氮纳米结构材料主要由sp2碳组成。根据D和G峰的强度比,估计的sp2碳颗粒为4nm。XPS谱在398.4eV处显示出与氮有关的峰,表明制备的碳氮纳米结构材料中含有氮。对N1sXPS谱的峰进行拟合后,发现位于398.4eV的峰由位于398.3和约400.0eV的两个峰组成,分别与sp3和sp2 C—N键有关,表明材料中的部分碳原子被氮原子所替代。
- 陈轩陈玉安徐幸梓王必本
- 关键词：RAMAN谱X射线光电子谱
- 离子轰击碳膜形成碳尖端的研究
- 用 CH、NH和 H为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的 Si 衬底上制备了碳尖端。利用原子力显微镜和显微 Raman 光谱仪对沉积的碳膜表征的结果表明碳膜是非晶碳膜,并且粗糙不平。用扫描电子显...
- 徐幸梓王必本高凤英张力曾丁丁
- 关键词：等离子体化学气相沉积离子轰击
- 文献传递
- 真空度对碳纳米管生长过程的影响被引量：3
- 2003年
- 利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构,结果表明真空度对其生长和结构有较大的影响。当真空度为4000Pa和2000Pa时,准直碳纳米管较容易生长,并且真空度为2000Pa时生长的碳纳米管平均长度大于真空度为4000Pa时碳纳米管的平均长度。但真空度为667Pa时碳纳米管生长困难。根据热力学和辉光放电理论,分析了真空度对准直碳纳米管生长和结构的影响。
- 徐幸梓王必本张兵刘天模
- 关键词：辉光放电真空度晶体生长
