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彭军

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇射频
  • 2篇气相淀积
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射制备
  • 1篇氮化碳
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化硅
  • 1篇射频溅射
  • 1篇射频溅射法
  • 1篇碳氮薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇热敏打印
  • 1篇热敏打印头
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 6篇兰州大学
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 6篇彭军
  • 3篇姚江宏
  • 2篇陈光华
  • 2篇崔敬忠
  • 1篇张福甲
  • 1篇王志勇

传媒

  • 3篇兰州大学学报...
  • 1篇甘肃科学学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 5篇1996
  • 1篇1993
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
射频溅射制备m0—Ge／SiO2多层膜
1996年
射频溅射制备α－Ｇｅ／ＳｉＯ２多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清（兰州大学物理系，兰州７３００００）由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性，α－Ｇｅ和α－ＳｉＯ２得到了深入的研究［１，２］．近年来，用共溅射的方法制备的Ｇｅ／ＳｉＯ２纳米材料由...
崔敬忠彭军
关键词：射频溅射法二氧化硅锗
全文增补中
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究被引量：2
1996年
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②（兰州大学物理系，兰州７３００００）Ｃ６０的发现［１］及采用简单方法大量制备的成功［２］，在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极大兴趣和关注．考虑到Ｃ６０具有半导体性质，经过掺杂，...
姚江宏彭军
关键词：富勒烯硼电学性质
全文增补中
射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析
1996年
报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单昌硅衬底上制备碳氮非晶薄膜，并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究。分析结果表明该膜中氮主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｎ键形式与碳结合。
彭军崔敬忠
关键词：退火碳氮薄膜
CN_x薄膜的PCVD制备及研究
1996年
ＣＮｘ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法（ＰＣＶＤ），制备出了含氮量为２１ａｔ％的ＣＮｘ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜中氮元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｂ，Ｃ—Ｎ键的形式与碳结合。ＣＮｘ薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４的微晶成分。其显微硬度为Ｈｖ＝２６５０ｋｇ／ｍｍ２。
彭军彭应全姚江宏陈光华
关键词：气相淀积氮化碳PCVD
p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性被引量：1
1993年
用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。
张福甲彭军
关键词：化合物半导体GAP欧姆接触
CVD金刚石膜用作TaN_2热敏打印头表面保护层的研究
1996年
报道了用微波等离子体化学气相淀积（MWCVD）技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺，以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法，从实验上证实了CVD金刚石膜可以用作TaN2热敏打印头表面保护层。
姚江宏彭军王志勇陈光华
关键词：金刚石薄膜化学气相淀积热敏打印头
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