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彭军
作品数:
6
被引量:3
H指数:1
供职机构:
兰州大学物理系
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发文基金:
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相关领域:
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合作作者
姚江宏
兰州大学物理系
崔敬忠
兰州大学物理系
陈光华
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张福甲
兰州大学物理系
王志勇
兰州大学物理系
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1996
1篇
1993
共
6
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射频溅射制备m0—Ge/SiO2多层膜
1996年
射频溅射制备α-Ge/SiO2多层膜崔敬忠彭军张兴旺陈光华张仿清(兰州大学物理系,兰州730000)由于在非晶太阳能电池和半导体器件方面的重要性,α-Ge和α-SiO2得到了深入的研究[1,2].近年来,用共溅射的方法制备的Ge/SiO2纳米材料由...
崔敬忠
彭军
关键词:
射频溅射法
二氧化硅
锗
全文增补中
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究
被引量:2
1996年
硼取代富勒烯的制备及其薄膜电学性质的研究①姚江宏彭军王永谦陈光华②(兰州大学物理系,兰州730000)C60的发现[1]及采用简单方法大量制备的成功[2],在物理、化学及材料科学等领域引起了人们极大兴趣和关注.考虑到C60具有半导体性质,经过掺杂,...
姚江宏
彭军
关键词:
富勒烯
硼
电学性质
全文增补中
射频溅射制备碳氮薄膜及其结构分析
1996年
报道了用射频等离子体溅射的方法在高阻单昌硅衬底上制备碳氮非晶薄膜,并利用拉曼光谱和红外吸收谱对其进行的结构分析研究。分析结果表明该膜中氮主要以C≡N,C=N键形式与碳结合。
彭军
崔敬忠
关键词:
退火
碳氮薄膜
CN_x薄膜的PCVD制备及研究
1996年
CNx薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法(PCVD),制备出了含氮量为21at%的CNx膜,并用俄歇电子探针,红外谱仪和拉曼光谱仪及X光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜中氮元素主要以C≡N,C=B,C—N键的形式与碳结合。CNx薄膜中含有β-C3N4的微晶成分。其显微硬度为Hv=2650kg/mm2。
彭军
彭应全
姚江宏
陈光华
关键词:
气相淀积
氮化碳
PCVD
p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性
被引量:1
1993年
用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar^+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。
张福甲
彭军
关键词:
化合物半导体
GAP
欧姆接触
CVD金刚石膜用作TaN_2热敏打印头表面保护层的研究
1996年
报道了用微波等离子体化学气相淀积(MWCVD)技术在TaN2电阻材料上淀积高质量金刚石薄膜的制备工艺,以及扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、压痕测试的测试结果。探讨了提高金刚石膜在非金刚石衬底成核密度与粘附性的实验方法,从实验上证实了CVD金刚石膜可以用作TaN2热敏打印头表面保护层。
姚江宏
彭军
王志勇
陈光华
关键词:
金刚石薄膜
化学气相淀积
热敏打印头
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