2024年8月28日
星期三
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
张立忠
作品数:
22
被引量:3
H指数:1
供职机构:
北京大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
理学
医药卫生
更多>>
合作作者
王源
微纳电子与集成系统协同创新中心...
张兴
微纳电子与集成系统协同创新中心...
何燕冬
北京大学
陆光易
北京大学
贾嵩
微纳电子与集成系统协同创新中心...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
21篇
专利
1篇
期刊文章
领域
4篇
电子电信
1篇
医药卫生
1篇
理学
主题
8篇
电路
8篇
集成电路
8篇
触发
7篇
沟道
7篇
衬底
6篇
静电放电
6篇
静电放电保护
6篇
可控硅
6篇
二极管
5篇
电阻
5篇
氧
4篇
电路芯片
4篇
芯片
4篇
静电
4篇
集成电路芯片
4篇
保护器件
3篇
外接电阻
3篇
漏电
3篇
漏电流
3篇
接电
机构
22篇
北京大学
作者
22篇
张立忠
22篇
王源
18篇
张兴
11篇
何燕冬
9篇
陆光易
7篇
贾嵩
4篇
郭海兵
3篇
曹健
2篇
张钢刚
1篇
田明
传媒
1篇
物理学报
年份
1篇
2021
3篇
2020
6篇
2019
2篇
2018
3篇
2017
2篇
2016
3篇
2015
2篇
2014
共
22
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种维持电压可调的静电放电保护电路
本发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域,尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅,所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括,维持电压...
王源
郭海兵
陆光易
张立忠
贾嵩
张兴
文献传递
二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
本发明公开了一种二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路,该器件包括:依次设置在P型衬底上的第一P+注入区,第一N+注入区和至少两个N阱区,每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一...
王源
张立忠
何燕冬
张兴
文献传递
基于FDSOI的gg-NMOS器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件,包括:P型衬底、埋氧层、源极、漏极、栅极和外接电阻;外接电阻的一端与漏极连接,在外接电阻与漏极之间接入静电输入端,外接电阻的另一端与P型衬底连接;P型衬底的表面上...
王源
张立忠
何燕冬
张兴
文献传递
一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域,尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结,其中,n为常数;n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上...
王源
张立忠
陆光易
曹健
张兴
文献传递
二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路
本发明公开了一种二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路,该器件包括:依次设置在P型衬底上的第一P+注入区,第一N+注入区和至少两个N阱区,每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一...
王源
张立忠
何燕冬
张兴
文献传递
基于FDSOI的gg-NMOS器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI的gg‑NMOS器件,包括:P型衬底、埋氧层、源极、漏极、栅极和外接电阻;外接电阻的一端与漏极连接,在外接电阻与漏极之间接入静电输入端,外接电阻的另一端与P型衬底连接;P型衬底的表面上...
王源
张立忠
何燕冬
张兴
文献传递
一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域,尤其涉及一种二极管链触发的栅控PIN结静电放电保护器件。该静电放电保护器件包括P型衬底、n个N型阱区以及栅控PIN结,其中,n为常数;n个N型阱区以及栅控PIN结形成于P型衬底上...
王源
张立忠
陆光易
曹健
张兴
文献传递
一种LDMOS ESD器件
本发明涉及集成电路的静电放电保护技术领域,尤其涉及一种LDMOS ESD器件。本发明的LDMOS ESD器件在源漏区的下方引入P+掺杂区,使得在LDMOS ESD器件获得更高的二次击穿电流。当ESD冲击发生时,寄生的晶体...
王源
张立忠
陆光易
贾嵩
张钢刚
张兴
文献传递
一种硅控整流器
本发明公开了一种硅控整流器,包括:P型衬底,所述P型衬底上从左到右依次设有第一N阱区、第二N阱区、第三N阱区、第四N阱区以及第五N阱区;所述第一N阱区、所述第二N阱区、所述第三N阱区、所述第四N阱区以及所述第五N阱区依次...
王源
张立忠
何燕冬
张兴
文献传递
基于FDSOI gg-NMOS辅助触发的ESD保护器件
本发明实施例提供了一种基于FDSOI gg‑NMOS辅助触发的ESD保护器件,在P型衬底内设置N阱注入区,且N阱引出区与漏区连接,可以获得体硅级别的ESD电流泄放能力,满足FDSOI工艺下内部核心电路的ESD设计窗口的要...
王源
张立忠
何燕冬
文献传递
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张