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张生才

作品数:59 被引量:187H指数:8
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

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领域

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主题

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机构

  • 59篇天津大学
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作者

  • 59篇张生才
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  • 22篇张为
  • 20篇李树荣
  • 10篇徐江涛
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  • 9篇曲宏伟
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  • 7篇郑云光
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  • 4篇肖夏
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传媒

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年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 8篇2005
  • 11篇2004
  • 11篇2003
  • 8篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇2000
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1991
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ULSI互连布线中低介电常数(low-k)介质硬度的超声表面波表征方法
为适应电子器件向速度更快、集成度更高和功能更强层次的发展,集成电路金属互连系统的绝缘材料必须采用低介电常数(low-k)介质薄膜.在介质材料中引入大量纳米气孔可以有效的降低k值,但严重降低了介质的硬度,限制了芯片制造过程...
肖夏张生才赵毅强张为姚素英
关键词:ULSI介电常数
文献传递
高性能视觉半导体光电近代探测器研制
张生才李树荣张世林赵毅强姚素英郑云光张为刘激扬阎富兰王涌萍牛秀文田利平崔金标元冰如
“高性能视觉半导体光电探测器的研制”是为我国第五套人民币防伪验钞机配套专用的特殊器件。项目选择长寿命优质无缺陷的单晶硅材料,优化器件设计,浅结注入(或扩散)技术,光抗反射技术,选用大面积光敏面等,实现了暗电流小,光灵敏度...
关键词:
关键词:高性能光电探测器高可靠性
薄膜型热印头电特性的测试
1996年
本文对薄膜型热印头性能进行分析,重点讨论了热印头主要电特性——耐电脉冲冲击性能的测试原理、测试方法。同时,较详细地介绍了测试仪设计原理与电路。该测试方法也适用于厚膜型、混合型及其它类型热印头电特性测试及寿命估计。
陈德里申云琴张生才潘善臻
关键词:热印头薄膜型打印装置
多晶硅高温压力传感器的温度特性被引量:2
2002年
讨论了改善多晶硅高温压力传感器温度特性的 3种措施 :用四甲基氢氧化铵溶液代替氢氧化钾溶液作硅杯各向异性腐蚀剂 ;优化多晶硅压敏电阻的掺杂浓度 ,实现传感器灵敏度温度漂移自补偿 ;在传感器芯片上加做温敏电阻 ,通过调节激励源的温度特性 ,进一步减小传感器灵敏度温度系数 .采用以上措施 ,使多晶硅压力传感器有良好的高温稳定性 ,灵敏度温度系数绝对值小于 2× 10 -4/℃ .
张为姚素英张生才曲宏伟刘艳艳张维新
关键词:多晶硅压力传感器温度特性
基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究
2004年
本文结合用于CMOS图像传感器中的低噪声DPGA的性能特点,提出了一种优化电容阵列拓扑结构的方法,讨论了此种结构下由寄生电容引入的时钟馈通和电荷分配效应,并给出了仿真结果和按照0.35μmCMOS工艺进行流片的版图。测试结果表明,采用改进的电容阵列结构能把采样电容引入的噪声斜率从原来的0.15降低到0.01。
戴山小姚素英赵毅强张为李树荣张生才徐江涛
关键词:寄生电容阵列结构CMOS工艺CMOS图像传感器版图低噪声
SOI高温压力传感器的研究现状被引量:10
2005年
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.
张书玉张维连张生才姚素英
关键词:压力传感器SOI各向异性腐蚀硅片直接键合硅单晶片
光电二极管有源像素CMOS图像传感器固定模式噪声分析被引量:8
2005年
在研究有源像素工作机理和制作工艺的基础上,分析了固定模式噪声的产生机制以及对输出信号的影响,建立了噪声产生模型,得出了噪声影响的定量计算的公式。提出了通过优化电路和版图设计抑制电路固定模式噪声的方法。对于无法通过电路设计消除的噪声,提出了双采样电路抑制方法。研究结果对于设计低噪色有源像素具有指导意义。
张生才董博彦徐江涛
关键词:固定模式噪声有源像素传感器CMOS图像传感器
文字处理机薄膜热印头研制
1997年
文字处理机热印头是采用薄膜技术制造的一种具有高分辨率、高清晰度、快速打印的热打印机专用元件。本文主要研究薄膜热印头的结构、图形设计。
张生才申云琴李华阁牛秀文
关键词:磁控反应溅射文字处理机
SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计被引量:5
2003年
利用有限元分析方法、借助 ANSYS软件 ,对 SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟 ,探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下、宽长比对理论输出的影响 ,以及应变膜厚度对理论输出的影响 ,给出了设计应变膜的优化方案 ;并对根据模拟结果首次制作的 SOI单晶硅压力传感器进行了测量 。
倪智琪姚素英张生才赵毅强张为张维新
关键词:硅压力传感器ANSYS膜厚比
薄膜热印头的耐磨层
本实用新型通过采用COPNA缩合多环多核芳香烃树脂作为薄膜热印头的耐磨层,使耐磨层的厚度能够达到16μm,局部凸起高度为5~10μm,在不影响印刷质量的问题下大大提高了耐磨层的使用寿命。
申云琴张生才陈德里牛秀文孙锡兰齐建华
文献传递
共6页<123456>
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