张琦锋 作品数:60 被引量:174 H指数:8 供职机构: 北京大学信息科学技术学院电子学系 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 北京市自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 更多>> 相关领域: 一般工业技术 理学 电子电信 金属学及工艺 更多>>
多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究 被引量:7 2005年 以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制. 周晓龙 柴扬 李萍剑 潘光虎 孙晖 申自勇 张琦锋 吴锦雷关键词:碳纳米管 掺杂 输运 内场助结构Ag-O-Cs光电发射薄膜真空制备研究 2001年 通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag O Cs薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化。 张琦锋 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷关键词:真空沉积 金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜及制法和全光克尔开关 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜,该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧,基质为厚度在100~200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜,其中埋藏有... 吴锦雷 张琦锋 薛增泉 刘惟敏 吴全德 王丹翎 龚旗煌文献传递 一种光控燃料气体源的制造方法及其制备装置 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法,利用纳米材料的“超级光吸收效应”,以及水在碳纳米管中的特殊存在状态,对含水的碳纳米管体系施加光照射,产生氢气(H<Sub>2</Sub>)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH<S... 郭等柱 薛增泉 张耿民 张兆祥 赵兴钰 张琦锋 侯士敏 申自勇 高崧 吴锦雷文献传递 巴基葱的微观形态与电学特性研究 本文介绍了巴基葱的一种制备方法,在大气室温下用扫描探针显微镜(SPM)观测了巴基葱在高定向石墨表面的微观形态,发现巴基葱为“葫芦”形的聚合体;它们的轴向呈现较严格的一致,存在成串排列的巴基葱聚合体.本文探讨了这些现象产生... 刘虹雯 刘赛锦 张琦锋 侯士敏 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷关键词:SPM 电学特性 文献传递 Ag-BaO复合薄膜光吸收谱中的双峰结构 被引量:2 2001年 经超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜光吸收谱显示 ,该薄膜样品在可见 近红外光波段存在 2个吸收峰。理论分析表明 ,位于可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag纳米粒子的表面等离子激元共振吸收 ;而位于近红外光区的次吸收峰则是由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起的。杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关。 张琦锋 候士敏 张耿民 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷关键词:金属纳米粒子 表面等离子激元 杂质能级 光吸收谱 AG BAO 基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路 被引量:11 2007年 展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路,分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器,以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门.其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道,而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道,器件的源漏电极均为铂电极. 李萍剑 张文静 张琦锋 吴锦雷关键词:碳纳米管 场效应管 逻辑电路 内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄... 吴锦雷 张琦锋 刘惟敏 薛增泉 吴全德文献传递 内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜及应用 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄... 吴锦雷 张琦锋 刘惟敏 薛增泉 吴全德文献传递 ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性 被引量:7 2006年 运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景. 张琦锋 戎懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷关键词:ZNO 纳米线 气相沉积 场发射