尹韬
- 作品数：7 被引量：40H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型低压高精度CMOS电流源被引量：9
- 2005年
- 采用低压与温度成正比基准源和衬底驱动低压运算放大器电路,设计了一种新型的低压高精度CMOS电流源电路,并采用TSMC0 25μmCMOSSpice模型进行了电源特性、温度特性及工艺偏差的仿真.在室温下,当电源电压处于1 0～1 8V时,低压电流源输出电流Iout约为12 437～12.497μA;当温度在0～47℃范围内,输出电流为12 447μA;各种工艺偏差条件下的最大绝对偏差为0 54μA,与典型工艺模型下的相对偏差为4 34%.
- 朱樟明杨银堂尹韬
- 关键词：电流源CMOS衬底驱动
- 一种0.8V 2.4μA CMOS全差分放大器被引量：3
- 2009年
- 基于0.25μm标准CMOS工艺,采用0.8V开关电容共模反馈电路技术和PMOS衬底驱动技术提出了一种新型0.8V 2.4μA全差分放大器。在0.8V单电源电压下,全差分放大器的直流开环增益为63.8dB,相位裕度为60度,单位增益带宽为7.4MHz,输出电压范围为18～791mV,其中新型模拟开关的输入/输出电压范围为0～800mV,整个放大器的电源电流为2.4μA,版图面积为410×360μm2。
- 朱樟明杨银堂尹韬任乐宁
- 关键词：低压低功耗全差分放大器
- 新颖宽调谐环形压控振荡器被引量：1
- 2004年
- 提出了一种新颖的频率可调范围为 3个数量级的全集成变阻环形压控振荡器 ,应用互补型开关作为可变电阻器并通过控制其电压来调节电阻值从而达到宽调谐的目的。采用 TSMC 0 .2 5μm标准 CMOS工艺进行模拟仿真 ,结果显示控制电压为 0 .4～ 3 V变化时 ,相应振荡频率为 2 88KHz～ 93 4MHz,具有较宽的调谐范围、较好的波形和较快的振荡摆幅 ,同时具有电路结构简单。
- 王洁张玉明张义门尹韬
- 关键词：压控振荡器RF电路
- 一种基于衬底驱动MOS技术的超低压运算放大器被引量：7
- 2004年
- 设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调电压和 1 1 0～ 798m
- 尹韬杨银堂汪家友朱樟明
- 关键词：超低压衬底驱动运算放大器CMOS
- 一种基于衬底驱动PMOS晶体管的低压共源共栅电流镜被引量：1
- 2007年
- 基于衬底驱动PMOS晶体管设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。基于TSMC 0.25μm 2P4M CMOS工艺的仿真和测试结果说明,BDCCM的最低输入压降要求只有0.3V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。
- 朱樟明杨银堂尹韬张海军张宝君
- 关键词：衬底驱动电流镜CMOS低压低功耗
- 衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计被引量：21
- 2005年
- 讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性 ,并对其低压特性进行了分析和仿真 .基于PMOS衬底驱动技术 ,设计实现了超低压运算放大器 .在 0 8V电源电压下 ,运算放大器的直流开环增益为 74dB ,相位裕度为 6 6° ,失调电压为 94 0 μV ,输出电压范围为 110～ 798mV .
- 尹韬朱樟明杨银堂郭磊
- 关键词：超低压衬底驱动运算放大器CMOS
- 一种低压CMOS衬底驱动共源共栅电流镜被引量：4
- 2006年
- 基于PMOS衬底驱动技术设计了低压PMOS衬底驱动CMOS共源共栅电流镜电路(BDCCM),并讨论分析了其输入阻抗、输出阻抗和频率特性。BDCCM的最低输入压降要求只有0.4V,但是其输入输出线性度和频率带宽要比传统的共源共栅电流镜低,是低频低压CMOS模拟集成电路设计的新型高性能共源共栅电流镜。
- 朱樟明杨银堂尹韬
- 关键词：电流镜互补金属氧化物半导体模拟电路
