季秉厚
- 作品数：43 被引量：62H指数：4
- 供职机构：内蒙古大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 铁酸镧湿敏元件的研制
- 季秉厚张玉仙
- 关键词：检测元件表面精整气体稳定性铁酸盐
- 光伏系统功率调节器效率测量程序
- 本标准规定了在独立和并网光伏系统中功率调节器效率的测量方法,其中功率调节器的输出是一定频率的稳定交流电压或者是稳定的直流电压。这个效率是在制造厂通过直接测量输入输出功率的大小而计算出来的。本标准也适用于包括隔离变压器的情...
- 杨鸿雁季秉厚
- 关键词：太阳能电池太阳能电池光伏电池功率调节器
- 文献传递
- 高可靠性小型太阳电池照明系统
- 季秉厚李全虎崔德惠
- 关键词：太阳能电池电路分析照明计算照明技术
- 小功率风-光互补逆变控制器的设计
- 1996年
- 在风－光互补发电系统中，逆变控制器的品质是实现供电的关键．它直接影响系统的可靠性与使用寿命．介绍了小功率风－光互补逆变控制器的设计方法、结论分析与测试等内容．
- 肖明利李全虎季秉厚
- 关键词：风力发电太阳能发电逆变控制器
- 真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性被引量：2
- 2002年
- 用真空气相沉积法 ,同时蒸发Cd和Te材料 ,在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In ,并用氮气作保护气体 ,在不同温度和时间下对薄膜进行热处理 ,研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明 ,用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学。
- 季秉厚孟凡英李健其其格
- 关键词：CDTE薄膜电学特性光学特性铟
- 纳米ZnO薄膜的制备被引量：5
- 2001年
- 采用真空气相沉积法 ,使用两种蒸发源制备纳米 Zn O薄膜 .用 XRD( X射线衍射 )进行测试并进行其结构特性分析 .研究发现 ,蒸发源为分析纯 Zn粉末时 ,蒸发可获得纳米 Zn薄膜 ,薄膜在氧气气氛下同时进行氧化及热处理 .实验发现 ,当温度高于 4 0 0℃ ,得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜 .蒸发源为分析纯 Zn O粉末时 ,采用钼舟加热 ,高温下 Zn O与钼舟发生反应 ,使部分 Zn O还原为 Zn,因此这种方法不适合纳米 Zn
- 宋淑芳李健季秉厚
- 关键词：纳米ZNO薄膜氧化锌薄膜
- ZrO_2氧敏元件特性研究
- 1994年
- 研究了一种氧化物半导体型氧敏元件的氧敏特性。该元件制作工艺简单，对Ｏ＿２具有较高的灵敏度和很好的选择性。
- 丁铁柱李蓉萍季秉厚
- 关键词：氧化锆气敏器件
- 厚膜ZrO_2氧敏元件的制作工艺对其氧敏特性的影响
- 1994年
- 报道了不同的制作工艺对厚膜ＺｒＯ＿２氧敏元件的氧敏特性的影响。实验结果表明，采用工艺Ｂ能够提高元件灵敏度。
- 丁铁柱李蓉萍季秉厚
- 关键词：氧化锆厚膜
- 掺杂对纳米ZnO薄膜结构的影响被引量：3
- 2001年
- 采用真空蒸发法和热氧化制备纳米 Zn O薄膜 ,分析掺杂对薄膜结构的影响 .实验发现 ,掺入一定比例的 In,可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜 ,薄膜结晶度有所下降 ,影响薄膜沿 c轴的择优取向 .掺 Sb可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜掺 .Bi可以改善结晶度 ,获得强烈沿 c轴的择优取向的薄膜 .实验发现随 In含量的增加 ,薄膜晶粒尺寸逐渐减小 ,随 Sb含量的增加 ,晶粒尺寸逐渐增加 ,而
- 宋淑芳李健季秉厚
- 关键词：纳米ZNO薄膜掺杂氧化锌结晶度禁带宽度
- 纳米SnO_2薄膜的制备、结构和性能研究
- 2000年
- 在真空度为 1 3 3 .3μPa时 ,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积 Sn O2 薄膜 .通过XRD、SEM等测试分析 ,研究了杂质掺杂及热处理前后的 Sn O2 薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响 .结果表明 ,掺 Bi有效地抑制了晶粒生长 ,提高了薄膜的稳定性 .掺 Bi后 ,薄膜的电学特性增强 ,而掺 In、Cd则影响不大 .
- 李明华宋淑芳季秉厚
- 关键词：半导体
