向鹏
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 量子阱前应力变化对Si衬底GaN/InGaN量子阱的影响
- GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还...
- 柳铭岗张佰君杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其臧文杰吴志盛刘扬
- 一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法
- 本发明公开了一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜保护与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气相沉积法在Si衬底...
- 张佰君向鹏
- 文献传递
- Si衬底垂直导通AlN/GaN DBR结构GaN基LED
- 目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效...
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- 高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
- 2015年
- 采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
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- 关键词：表面粗化
- Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
- 张佰君陈扬翔江健良林秀其藏文杰林佳利罗慧廖强刘扬向鹏柳铭岗杨亿斌陈伟杰韩小标胡钢伟林艳胡国亨
- 一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法
- 本发明公开了一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜覆盖与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si(111)晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上生长...
- 张佰君向鹏
- 文献传递
- 一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法
- 本发明公开了一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜保护与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底...
- 张佰君向鹏
- Si衬底GaN基薄膜的生长方法
- 本发明公开了一种Si衬底GaN基薄膜的生长方法，在AlN缓冲层等中间结构生长完成后，调节金属有机化学气相沉积系统反应腔压强至50—150mbar，将衬底加热至900－1200℃，生长一高温低压GaN插入层，再在该插入层上...
- 张佰君罗睿宏向鹏刘扬
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