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俞骁

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇硅片
  • 9篇纳米
  • 7篇单晶
  • 7篇单晶硅
  • 7篇各向异性腐蚀
  • 6篇硅片表面
  • 5篇刻蚀
  • 4篇探针
  • 4篇热学
  • 4篇热氧化
  • 4篇纳米探针
  • 3篇墙结构
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线结构
  • 3篇结构部件
  • 3篇刻蚀工艺
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式加速度...
  • 2篇对准标记
  • 2篇掩膜

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇厦门大学

作者

  • 17篇俞骁
  • 16篇李铁
  • 16篇王跃林
  • 4篇金钦华
  • 2篇张啸
  • 1篇张惠国
  • 1篇席文明
  • 1篇刘凯
  • 1篇雷李辉

传媒

  • 1篇常熟理工学院...

年份

  • 6篇2015
  • 1篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制...
金钦华俞骁李铁王跃林
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一种制备单晶硅纳米结构的方法
本发明涉及一种制备单晶硅纳米结构的方法，属于纳米加工技术领域。该方法利用硅材料的各向异性腐蚀特性，通过在制作腐蚀窗口时引入晶向偏转角，实现用大线宽腐蚀窗口在单晶硅各项异性湿法腐蚀后直接形成单晶硅纳米结构。本发明中的偏转角...
俞骁李铁王跃林
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一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的...
李铁俞骁张啸王跃林
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一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法
本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺...
金钦华俞骁李铁王跃林
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一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法
本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的...
俞骁李铁王跃林
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一种在(111)型硅片上制作硅锥体结构的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部...
李铁俞骁王跃林
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电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用
本发明提供一种电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用，本发明采用单晶硅纳米线支撑的质量块作为传感部件核心部分，在（111）单晶硅衬底上刻蚀出微米量级的支撑梁，并利用（111）硅片内的晶向分布特点，采用单晶硅各向异...
李铁俞骁王跃林
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一种平面型半导体热电芯片及制备方法
本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引...
李铁俞骁王跃林
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一种在(111)型硅片上制作硅锥体结构的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部...
李铁俞骁王跃林
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一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的...
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