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俞磊

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 2篇低温烘干
  • 2篇氧化铈
  • 2篇止点
  • 2篇煅烧
  • 2篇煅烧温度
  • 2篇无机纳米
  • 2篇无机纳米材料
  • 2篇相变材料
  • 2篇硝酸
  • 2篇硝酸铈铵
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米孔
  • 2篇反射光
  • 2篇材料结构
  • 1篇单晶
  • 1篇英文
  • 1篇片状

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 5篇俞磊
  • 5篇宋志棠
  • 5篇刘卫丽
  • 3篇张泽芳
  • 2篇吴关平
  • 2篇闫未霞
  • 2篇王良咏
  • 2篇刘波
  • 2篇何敖东

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～...
刘卫丽张泽芳俞磊宋志棠
确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，...
何敖东宋志棠刘波刘卫丽吴关平王良咏李俊焘俞磊闫未霞
文献传递
单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)被引量：2
2011年
以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。
张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠
关键词：CEO2沉淀法
确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统
本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，...
何敖东宋志棠刘波刘卫丽吴关平王良咏李俊焘俞磊闫未霞
文献传递
一种菱形片状氧化铈的制备方法
本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～...
刘卫丽张泽芳俞磊宋志棠
文献传递
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