余春燕
- 作品数：69 被引量：123H指数：7
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金山西省青年科技研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响
- 2016年
- 本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3衬底对ZnO纳米棒生长的影响。结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构。在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好。
- 户芳余春燕梅伏洪张华许并社
- 关键词：ZNO纳米棒水热法光学性能
- N_2流量对GaN的形貌及光学和电学性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、Xray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析。结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构;样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰;所有样品均为p型;并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析。
- 翟化松王坤鹏余春燕翟光美董海亮许并社
- 关键词：GAN纳米线化学气相沉积
- H13钢氮化前后表面磁控溅射CrAlN薄膜的摩擦磨损性能被引量：11
- 2008年
- 为了提高H13钢的表面耐磨性能，用直流磁控溅射法在氮化与未氮化的H13钢表面沉积CrAlN薄膜，并对处理前后的摩擦磨损性能进行了比较；用扫描电镜观察薄膜形貌，并测其厚度；测量了随炉硅片的薄膜显微硬度；用摩擦磨损试验机测试了在室温和600℃条件下薄膜的摩擦磨损性能。结果表明：薄膜平均厚度为4．8μm，硬度为23．7GPa；室温条件下材料的表面摩擦因数为0．60～0．65，600℃条件下摩擦因数为0．61～0．96；CrAlN／氮化H13钢和CrAlN／H13钢在室温摩擦时的耐磨性分别是H13钢的1．9倍和1．7倍，在600℃条件下耐磨性分别是H13钢的1．25倍和7倍。
- 尹小定王社斌余春燕田林海许并社
- 关键词：H13钢磁控溅射
- MOF-177对金属富勒烯的吸附选择性研究
- 2021年
- 采用电弧放电法制备了3种金属富勒烯Sc_(3)N@C_(78)-D3 h,Sc_(3)N@C_(80)-Ih和Sc_(2)_C_(2)@C_(82)-Cs,并用溶剂热法合成了金属-有机骨架材料MOF-177.利用紫外-可见分光光度计和高效液相色谱对甲苯溶液中MOF-177吸附金属富勒烯的过程进行了观察和表征.通过比较其紫外-可见吸光强度和色谱图,发现MOF-177对Sc_(2)_C_(2)@C_(82)的吸附速率最快,结合能力更强.对比计算优化后的3种金属富勒烯的结构图和MOF-177腔体的结构图可以看出,MOF-177与不同尺寸大小和形状的金属富勒烯有着不同的主客体相互作用.
- 张玉荣张捷余春燕贾伟张竹霞崔鹏
- 关键词：金属富勒烯金属有机骨架主客体作用
- 一种LED外延结构及其制备方法
- 本发明所述的一种LED外延结构，包括衬底，依次层叠形成在所述衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、双异质结层以及P型GaN层；还包括设置在所述N型GaN层与所述双异质结层之间的SiN<Sub>x</Sub>...
- 贾伟赵晨李天保余春燕许并社
- 文献传递
- 铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响
- 2022年
- 利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加。XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移。同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响。与纯ZnO相比,共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果。I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性。
- 尹佳奇余春燕翟光美李天保张竹霞无
- 关键词：ZNO纳米棒
- 化学镀Ni-P镀层晶化过程研究被引量：12
- 2007年
- 化学镀Ni-P镀层的显微组织对其服役性能有重要影响.通过SEM、TEM、XRD和DTA等分析手段,研究了压铸镁合金表面Ni-P镀层的晶化过程.结果表明,初始化学镀层不仅有非晶,还有亚稳态纳米晶;镀层的初始晶化温度大约为300℃,450℃晶化过程完成;升温过程中的原子扩散和纳米晶的长大导致有新的亚稳态相析出和转变;有序畴和析出物一起长大最终产生晶界.
- 毕虎才卫英慧杨海燕侯利锋余春燕郭耀文胡兰青许并社
- 关键词：镁合金化学镀镀层晶化
- 钝化剂乙酰水杨酸对钙钛矿太阳能电池性能影响的研究
- 2022年
- 有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因其优异的光电性能和低廉的制备成本,成为目前光伏领域内的研究热点。然而,钙钛矿薄膜表面和晶界处存在大量缺陷,这易于导致载流子非辐射复合,并进而影响太阳能电池的光电转换效率。本工作通过在两步法制备钙钛矿的铅盐前驱液中引入钝化剂乙酰水杨酸(acetylsalicylic acid,ASA),利用吸收/光致发光光谱、扫描电镜和电学测试等技术手段研究了ASA分子对钙钛矿薄膜质量与器件性能的影响。结果表明:适量的ASA分子可以通过路易斯酸碱相互作用增大钙钛矿晶粒尺寸,并有效降低钙钛矿薄膜的缺陷密度;当ASA的浓度为2.5 mmol/L时,所制得的钙钛矿电池取得了19.83%的最高光电转换效率,明显高于对照器件的转换效率(17.47%)。本工作首次报道了ASA对钙钛矿薄膜缺陷的良好钝化效果,并为提高钙钛矿太阳能电池性能提供了一种简单有效的制备方法。
- 任锦涛陈青霍宇吴治昕余春燕翟光美
- 关键词：有机-无机杂化金属卤化物乙酰水杨酸
- 氨气与温度对HCVD法合成GaN纳米材料的影响
- 2020年
- 实验以三氯化镓(GaCl3)为Ⅲ族源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了GaN纳米材料的自催化生长,探讨了氨气(NH3)流量,反应温度和梯度变温生长工艺对GaCl3合成GaN纳米材料的影响。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)对样品进行表征,结果表明,GaN纳米结构以团簇模式进行生长,符合气-液-固(V-L-S)生长机制。在不同的生长条件下,GaN的表面形貌,晶体质量和发光性能存在明显的差异,当NH3流量为60 sccm,反应温度为900℃时,GaN表现为规则的六边形结构,晶体质量好,PL图谱中未出现明显的红光峰(680 nm左右),采用梯度变温(800~900℃)生长工艺后,得到GaN纳米材料的复合结构,其比表面积和近带边发光峰强度均得到提高。
- 于斌张哲薛晋波章海霞余春燕贾伟郭俊杰李天保许并社
- 关键词：自催化
- 一种高纯度镁的精炼方法
- 本发明涉及一种高纯度镁的精炼方法，它是针对纯镁易氧化、易挥发的特性，以粗镁为原料，使用精炼剂，在真空熔炼炉里进行精炼，在氩气气压为100Pa的气氛中，在氩气底吹搅拌下，在水循环冷却下，完成纯镁的精炼、浇铸，经在氩气保护下...
- 李明照许并社范晋平余春燕王跃琪卫英慧樊建峰李琮
- 文献传递
