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何国敏

作品数：16 被引量：14H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇理学
  • 7篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 5篇异质结
  • 4篇应变层
  • 4篇ALN
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇子线
  • 3篇量子
  • 3篇量子线
  • 3篇光学
  • 3篇费米能级
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇电子结构
  • 2篇平均键能
  • 2篇子结构
  • 2篇键能
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇INGAAS...

机构

  • 16篇厦门大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 16篇何国敏
  • 13篇王仁智
  • 13篇郑永梅
  • 5篇蔡淑惠
  • 4篇李书平
  • 2篇刘宝林
  • 1篇董杰
  • 1篇王圩
  • 1篇邱伟彬
  • 1篇吴正云

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇厦门大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构
1998年
采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级．
何国敏王仁智郑永梅
关键词：半导体电场
自由电子能带模型中的平均键能与费米能级被引量：3
1999年
根据半导体自由电子能带模型，采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法，其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Ｅｍ”
郑永梅王仁智蔡淑惠何国敏李书平
关键词：费米能级平均键能异质结
一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法被引量：1
2001年
对面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp)三种不同结构的晶体 ,在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下 ,采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型” ,研究其根据费米球确定的费米能级EF 与根据自由电子能带模型计算的平均键能Em。研究结果表明 ,由自由电子能带模型计算所得 3种不同结构晶体 (因而电子密度也不一样 )的平均键能Em 等于各自自由电子系统的费米能级EF。平均键能Em 是我们在异质结带阶理论计算中建议的一种参考能级 ,研究结果在深化对平均键能Em 物理实质认识的同时 ,提供了一种借助于自由电子能带模型计算自由电子系统费米能级EF 的新方法。
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏
关键词：费米能级半导体
应变层超晶格GaN-AlN的电子结构被引量：2
1999年
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。
何国敏王仁智郑永梅
关键词：应变层超晶格
新型高温半导体电子性质研究
在该文的研究中,采用基于密度泛理论的,原子球近似(Atomic sphere approximation)下的Linear muffin tin orbital(LMTO-ASA)能带从头计算方法计算了闪锌矿(...
何国敏
关键词：半导体电子性质
自由电子能带中的平均键能与费米能级被引量：1
2002年
根据半导体自由电子能带模型 ,文中在面心立方 (fcc)晶体、体心立方 (bcc)晶体和 6角密堆积 (hcp)晶体中研究自由电子能带的平均键能 Em 和费米能级 EF 的关系 ,并得出自由电子能带的平均键能 Em 相当于费米能级 EF 的研究结果。其结果有助于了解平均键能 Em 的物理实质 ,同时也为自由电子系统提供一种通过自由电子能带计算费米能级 EF(或费米半径 k F)
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏
关键词：费米能级平均键能异质结
闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光学性质计算被引量：2
1998年
闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究，工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视．宽带隙半导体ＧａＮ和ＡｌＮ正是目前蓝紫...
何国敏王仁智郑永梅
关键词：闪锌矿结构氮化镓氮化铝光学性质
GaN静态性质的LMTO第一原理计算
1996年
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商Ｂ＇和结合能Ｅｃｏｈ。在闪锌矿结构和纤锌矿结构的研究中，分别考察了不同ｄ态处理方案和空原子球大小设置方式对计算结果的影响，确定了比较合理的计算方案，获得与实验值比较接近的计算结果。
何国敏郑永梅王仁智
关键词：宽禁带半导体氮化镓
平均键能方法在应变层异质结带阶研究中的应用被引量：4
2000年
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的带阶研究 .通过流体静压力应变和单轴应变对带阶参量Emv作用的仔细研究 ,发现平均带阶参量Emv,av=Em-Ev ,av在不同应变状态下基本上保持不变 .因此 ,在应变层带阶参量Emv的计算中 ,只需计算其发生应变前体材料的带阶参量Emv,o值并引用形变势b和SO裂距Δ0 的实验值 ,通过简便的代数运算得到应变层的Emv值 ,从而方便地预言不同应变层异质结的带阶 .该简化计算方案计算量小 。
李书平王仁智郑永梅蔡淑惠何国敏
关键词：异质结半导体应变层
InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益
2001年
采用有效质量理论 6带模型 ,计算了 In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的光学性质 ,具体计算了In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱 ,并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。
何国敏郑永梅王仁智刘宝林
关键词：量子线光学增益
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