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付灵丽

作品数:10 被引量:34H指数:3
供职机构:西北大学物理学系更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇一维光子晶体
  • 10篇晶体
  • 10篇光子
  • 10篇光子晶体
  • 7篇禁带
  • 5篇光子禁带
  • 3篇折射率
  • 2篇晶体结构
  • 2篇光子晶体禁带
  • 2篇掺杂
  • 2篇掺杂光子晶体
  • 1篇等效折射率
  • 1篇调制
  • 1篇对光
  • 1篇杂质态
  • 1篇入射
  • 1篇入射角
  • 1篇特征矩阵
  • 1篇透射
  • 1篇透射率

机构

  • 10篇西北大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇西安工业学院

作者

  • 10篇付灵丽
  • 9篇陈慰宗
  • 4篇郑新亮
  • 4篇李绍雄
  • 2篇卜涛
  • 1篇高平安
  • 1篇周景会
  • 1篇申影
  • 1篇尚小燕
  • 1篇忽满利
  • 1篇白晋涛

传媒

  • 2篇光子学报
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇激光杂志
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 6篇2003
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一维光子晶体禁带及缺陷模光学特性的研究
光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新型人工微结构光学材料.光子晶体以光子禁带的存在为主要特征,其典型结构为折射率周期性变化的物体.一维光子晶体是光子晶体最基本的构型,其折射率在一维空间方向上呈周期性分布.一维光子...
付灵丽
关键词:一维光子晶体调制
文献传递
入射角对光子晶体杂质模的调制被引量:12
2005年
运用光在分层介质中传播的特征矩阵方法,通过数值计算,研究了掺杂一维光子晶体中光子禁带及杂质模的特性随不同偏振光及入射角的变化。研究结果表明,杂质模的中心波长及整个光子禁带随入射角的增加逐渐向短波方向移动,P偏振光和S偏振光的杂质模的移动情况基本一致。但是,禁带宽度、杂质模的带宽及Q值随着入射角的增加有明显变化。P偏振光的禁带宽度随入射角增加逐渐减少,而S偏振光的禁带宽度随入射角增加先不变后增加。P偏振光的杂质模的带宽先随入射角增大逐渐增宽,入射角大于67°之后又逐渐减小,而S偏振光的杂质模的带宽随入射角增加先减小然后略有增加,Q值也发生相应变化。
付灵丽陈慰宗郑新亮尚小燕
关键词:一维光子晶体掺杂光子晶体光子禁带
一维光子晶体结构对反射光相位的影响被引量:2
2003年
运用光在介质中传播的特征矩阵方法,通过数值计算,研究了一维光子晶体结构对光子禁带的反射光相位的影响。研究结果表明,光在光子禁带的反射率对于不同的入射角均近似为1;反射光的相位随入射角而变化,对于不同结构的一维光子晶体,反射光相位的变化不同,并且S偏振光和P偏振光的反射光相位的变化亦不相同;通过改变光子晶体的结构参数可以实现对反射光相位的调制。
陈慰宗付灵丽忽满利
关键词:一维光子晶体光子禁带特征矩阵
一维光子晶体禁带反射率随结构的变化被引量:2
2003年
用特征矩阵方法得出了一维光子晶体的反射率计算公式,以/4波片堆为例,计算了当两种介质采用不同折射率的物质时,在第一光子禁带TE波及TM波的反射率随入射角的变化。结果显示,TE波与TM波的情况不完全相同。总的来说,增大两种介质折射率的差别,或者同时提高两种介质的折射率,或者增加周期数都有利于制造出具有完全光子禁带的一维光子晶体。
陈慰宗付灵丽李绍雄周景会
关键词:一维光子晶体禁带反射率
掺杂一维光子晶体的杂质态被引量:1
2003年
阐述了无缺陷光子晶体与掺杂光子晶体的结构,用光学特征矩阵方法,通过数值模拟计算具体讨论了一维光子晶体的一个实例。计算结果表明,掺杂光子晶体的禁带出现了极窄的、高透射率的尖峰,即光子杂质态,类似于半导体材料中的杂质能级。杂质层的引入增宽了原来光子禁带的宽度,杂质态的特征与杂质层的光学厚度、折射率及在晶体中的位置等因素有关。
陈慰宗付灵丽卜涛白晋涛
关键词:一维光子晶体掺杂光子晶体光子禁带
一维光子晶体完全光子禁带与结构的关系
阐述了完全光子禁带的概念。用光学特征矩阵方法,通过数值模拟计算,讨论了一维光子晶体出现完全光子禁带与晶体结构和介质材料的折射率的密切关系.具体计算了用同样两种介质材料组成3种不同结构的一维光子晶体,对于TM及TE电磁模式...
陈慰宗付灵丽李绍雄
关键词:一维光子晶体晶体结构折射率
文献传递
一维光子晶体完全光子禁带与结构的关系
2004年
阐述了完全光子禁带的概念.用光学特征矩阵方法,通过数值模拟计算,讨论了一维光子晶体出现完全光子禁带与晶体结构和介质材料的折射率的密切关系.具体计算了用同样两种介质材料组成3种不同结构的一维光子晶体,对于TM及TE电磁模式在不同入射角下的透射率谱,从中找出它们的完全光子禁带,发现3种结构的完全光子禁带的波长范围及宽度各不相同.另外,研究结果表明组成光子晶体的两种材料的折射率差别越大,两种电磁模的禁带越宽,越容易产生完全光子禁带.简单讨论了完全光子禁带出现的条件.
陈慰宗付灵丽李绍雄
关键词:一维光子晶体晶体结构折射率
用等效膜理论分析一维光子晶体的禁带特征
2003年
论述了等效膜理论和等效折射率概念,并通过数值计算得出了有限周期一维光子晶体的等效折射率随频率的变化。结果表明:在光子禁带等效折射率不存在,在光子禁带两边等效折射率分别趋于无穷大或者零;在光子透射带,等效折射率是有限值。此外,还用等效折射率的不连续特点,讨论了在不同结构的一维光子晶体中禁带发生位置的变化。
郑新亮陈慰宗付灵丽
关键词:一维光子晶体等效折射率光子禁带
有限周期的一维光子晶体的透射率及其禁带被引量:6
2003年
用传输矩阵方法得到了有限周期的一维光子晶体的复透射系数和透射率的解析表达式 .根据这个结果 ,分析讨论了一维光子晶体的光子禁带产生的原因 ,讨论了光子禁带及透过带的特征 ,并用透射率讨论了λ0 / 4片组成的有限个周期的一维光子晶体的光子带结构 ,得到了与用其它方法相同的结果 .
陈慰宗郑新亮卜涛付灵丽
关键词:一维光子晶体透射率光子禁带传输矩阵
一维光子晶体中的电磁模密度被引量:9
2003年
阐述了电磁模密度 (EDOM )的概念及其在描述光辐射中的重要作用 .推导了有限大小的均匀介质和一维光子晶体EDOM的解析表达式 ,计算出由λ0 /4薄片构成的一维光子晶体的EDOM ,明显看出一维光子晶体中EDOM受光子带结构调制的现象 ;分析了在带边缘处EDOM有极大增强的现象 ,其值近似正比于周期数N的平方和两种介质折射率差的平方 ,并用数值计算结果证实了这一特点 .
陈慰宗郑新亮付灵丽李绍雄申影高平安
关键词:一维光子晶体
共1页<1>
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