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黄文超

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇载流子
  • 6篇半导体
  • 4篇载流子浓度
  • 2篇导体
  • 2篇电器件
  • 2篇动力学特性
  • 2篇载流子寿命
  • 2篇阵列器件
  • 2篇扫描探针
  • 2篇扫描探针显微...
  • 2篇少数载流子
  • 2篇少数载流子寿...
  • 2篇区块
  • 2篇耦合量子阱
  • 2篇微分
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇量子
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线

机构

  • 7篇中国科学院
  • 1篇加利福尼亚大...

作者

  • 7篇陆卫
  • 7篇黄文超
  • 6篇夏辉
  • 6篇李天信
  • 4篇李宁
  • 4篇胡伟达
  • 4篇姚碧霂
  • 3篇陈效双
  • 2篇李志峰
  • 2篇殷豪
  • 2篇王文娟
  • 2篇陈平平
  • 2篇李志锋
  • 1篇王晓芳

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
半导体量子阱中载流子浓度的测量方法
本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导...
李天信黄文超陆卫夏辉姚碧霂李宁李志锋
文献传递
光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定...
李天信夏辉陆卫殷豪黄文超王文娟胡伟达李宁陈平平李志峰陈效双
文献传递
半导体纳米线少数载流子寿命的检测方法
本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命。本方法适用...
李天信夏辉陆卫胡伟达姚碧霂黄文超
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C掺杂金红石结构TiO_2的第一性原理研究（英文）被引量：1
2018年
利用基于密度泛函的第一性原理研究了非磁性轻元素C掺杂金红石TiO_2的性质,这在自旋电子和红外电子领域具有潜在的应用前景.结果显示:C原子更倾向于形成铁磁耦合并围绕在Ti原子周围,每个C原子的磁矩大约为1.3μB.体系的铁磁性来源于p-d轨道杂化和类p-d杂化的p-p耦合共同作用,p-p耦合主要来自类p-t_(2g)和价带p态耦合.
黄文超王晓芳陈效双陆卫方敬尧
关键词：第一性原理铁磁性半金属
半导体纳米线少数载流子寿命的检测方法
本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命。本方法适用...
李天信夏辉陆卫胡伟达姚碧霂黄文超
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半导体量子阱中载流子浓度的测量方法
本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导...
李天信黄文超陆卫夏辉姚碧霂李宁李志锋
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光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定...
李天信夏辉陆卫殷豪黄文超王文娟胡伟达李宁陈平平李志峰陈效双
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