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饶进

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:华为技术有限公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 9篇增益
  • 8篇增益放大
  • 8篇增益放大器
  • 8篇放大器
  • 6篇电流
  • 6篇电阻网络
  • 5篇信号
  • 4篇电流开关
  • 4篇信号转换
  • 4篇芯片
  • 4篇分流比
  • 3篇电路
  • 3篇电子设备
  • 3篇可变增益
  • 3篇可变增益放大...
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇差分
  • 2篇电子电路
  • 2篇驱动电压

机构

  • 14篇华为技术有限...

作者

  • 14篇饶进
  • 6篇诸小胜
  • 4篇刘涛
  • 4篇朱芸
  • 4篇李海军
  • 4篇李治
  • 2篇王华江
  • 2篇王红玉
  • 2篇胡新荣
  • 2篇贺强
  • 2篇刘全
  • 2篇何卓彪
  • 2篇彭嵘
  • 2篇鲁明
  • 2篇张智
  • 2篇王永利
  • 2篇马俊彩
  • 2篇鲁微
  • 1篇王瑜
  • 1篇马平

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器,包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器:增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭,并控制每个电流开关对应的分流比连续变化;电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
文献传递
连续可变增益放大器
连续可变增益放大器包括衰减网络、增益网络、第一和第二放大网络,其中衰减网络根据输入信号产生第一差分输出信号分别发送到第一和第二放大网络;第一和第二放大网络分别接收第一差分输出信号的一路,根据外部输入的控制电压生成第一路和...
张智胡新荣饶进王永利诸小胜彭嵘
文献传递
可变增益放大器
本发明实施例公开了一种可变增益放大器,涉及电子电路领域,该可变增益放大器的输出电流与控制电压之间的对数线性较为理想。该可变增益放大器包括包括拟合差分模块组以及偏移电压输出模块,其中,所述拟合差分模块组用于在驱动电压和偏移...
饶进刘全朱芸王华江
文献传递
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100),包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108),GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104),沟道层(104)邻接势垒...
张志利饶进刘涛李海军鲁微李水明汤岑贺强马俊彩樊春华术洋溢
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器,包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器:增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭,并控制每个电流开关对应的分流比连续变化;电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
连续可变增益放大器
连续可变增益放大器包括衰减网络、增益网络、第一和第二放大网络,其中衰减网络根据输入信号产生第一差分输出信号分别发送到第一和第二放大网络;第一和第二放大网络分别接收第一差分输出信号的一路,根据外部输入的控制电压生成第一路和...
张智胡新荣饶进王永利诸小胜彭嵘
文献传递
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器,包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器:增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭,并控制每个电流开关对应的分流比连续变化;电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
一种跟踪补偿积分器、宽带滤波器及宽带模拟芯片
本发明实施例公开了一种补偿积分器,所述补偿积分器包括:运算放大器、积分电阻和积分电容、以及零点电阻;所述积分电阻接所述运算放大器的输入端,所述积分电容与所述零点电阻串联接在所述运算放大器的输入端与输出端之间;所述零点电阻...
王红玉朱芸何卓彪饶进
文献传递
半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备,涉及半导体技术领域,用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括:衬底;沟道层和势垒层,依次层叠设置于衬底上;源极、栅极和漏极,设置于势垒层上...
张志利饶进刘涛李海军李水明鲁明
一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法
本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法,涉及芯片制造封装技术领域,用于在不增加尺寸的情况下,能够提高半导体器件的散热效率。该半导体器件包括:衬底、源极、漏极和栅极,以及槽;源极、漏极和栅极均形成在...
李水明王瑜马平鲁明汤岑张志利贺强李海军刘涛饶进
共2页<12>
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