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陆嘉

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇ESD
  • 2篇电路
  • 2篇NMOS
  • 2篇ESD保护
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇寄生效应
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真模型
  • 1篇保护电路设计
  • 1篇保护器件
  • 1篇ESD保护电...
  • 1篇ESD保护器...
  • 1篇GGNMOS
  • 1篇MOSFET
  • 1篇VERILO...

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇陆嘉
  • 2篇姜玉稀
  • 2篇杨殿雄
  • 2篇冉峰

传媒

  • 2篇微计算机信息

年份

  • 3篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化被引量：4
2008年
本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。
姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄
关键词：ESDGGNMOS
基于Verilog-A的MOSFET ESD仿真模型的构建及应用
随着IC行业的发展，芯片的集成度和工艺水平日益提高，静电放电(ElectroStatic Discharge，ESD)对集成电路可靠性和安全性的威胁也随之增大。设计功能可靠的ESD保护器件成为了每个IC设计公司和代工厂都...
陆嘉
关键词：单片集成电路ESD仿真模型保护电路设计
文献传递
NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计被引量：1
2008年
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。
姜玉稀陆嘉冉峰杨殿雄
关键词：ESD寄生效应
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共1页<1>
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