阎大伟
- 作品数：67 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 检测装置
- 本实用新型提供了一种检测装置，属于氢气传感器检测技术领域，用于氢气传感器的稳定性和重复性的检测，检测装置包括壳体、机械真空泵以及盛装有氢气的氢气瓶，壳体设置有储存腔，机械真空泵用于抽离储存腔内的气体，氢气瓶用于向储存腔内...
- 阎大伟杨奇罗跃川吴卫东王雪敏彭丽萍黎维华沈昌乐赵妍湛治强蒋涛王新明邓青华肖婷婷
- 文献传递
- 一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法
- 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光...
- 王雪敏杨奇湛治强蒋涛邹蕊娇陈风伟舒琳阎大伟彭丽萍樊龙张继成罗跃川吴卫东
- 亚微米尺寸金属电极的制备工艺被引量：1
- 2015年
- 亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。
- 湛治强阎大伟熊政伟沈昌乐彭丽萍罗跃川王雪敏吴卫东
- 关键词：亚微米电子束曝光金属电极
- GaAs肖特基二极管中不连续性电路仿真分析
- 2013年
- 在太赫兹技术应用系统中,太赫兹混频器是太赫兹接收前端的关键部件,而太赫兹肖特基二极管是太赫兹混频器的核心器件。本文采用信号完整性的方法对肖特基二极管在无源区的特性进行建模分析,并对不连续性、寄生电容等参数进行分析。根据肖特基二极管设计的物理参数,如尺寸、材料的介电常数等,在高频结构仿真器(HFSS)中对肖特基二极管进行建模。通过多次建模仿真,最终给出肖特基二极管的等效电路模型。通过对比HFSS中提取二极管欧姆焊盘的S参数和Ansoft-designer中对二极管欧姆焊盘的等效电路进行仿真得到的S参数,证明了等效电路的合理性。该模型可以应用在对太赫兹混频器的电路级仿真中。
- 赵妍马毅超王雪敏阎大伟吴卫东
- 关键词：太赫兹肖特基二极管信号完整性
- 太赫兹测试样品装置
- 本发明提供一种太赫兹测试样品装置，涉及测试样品装置技术领域。太赫兹测试样品装置包括：第一半椭球罩，第一半椭球罩具有第一开口和第二开口，第一开口用于与太赫兹发射装置连接。第二半椭球罩，第二半椭球罩在长轴方向具有第三开口，在...
- 湛治强王雪敏沈昌乐蒋涛彭丽萍肖婷婷樊龙阎大伟吴卫东
- 文献传递
- GaAs外延薄膜的As缺位研究
- 2011年
- 研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题。采用激光分子束外延技术制备了GaAs外延薄膜,研究了实验参数对GaAs薄膜性能,特别是As缺位的影响。在线RHEED测试结果表明,GaAs可以实现外延生长。原位XPS和UPS等测试研究结果表明,激光分子束外延技术制备GaAs外延薄膜过程中存在As缺位问题,激光能量对GaAs薄膜中As含量具有明显的影响,要获得理想成分比的GaAs外延薄膜,需要较高的脉冲激光能量(600 mJ)。
- 王雪敏吴卫东阎大伟王瑜英唐永建
- 基于高温扩散的AlGaAs靶制备
- 2011年
- 基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况。利用扫描电子显微镜(SEM)对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了表征。结果表明:当扩散温度较低时(650℃),Al在GaAs中扩散较快,可获得较佳的扩散结果。当温度升高后(800℃),GaAs中的As挥发增强,其在Al和GaAs界面处富集,阻碍了Al向GaAs中的扩散。最后根据实验结果,利用Fick定律计算了在650℃下AlGaAs靶的制备时间。
- 阎大伟吴卫东王雪敏王瑜英沈昌乐彭丽萍
- 关键词：ALGAAS高温扩散扫描电子显微镜
- AlGaN/GaN HEMT氢气传感器室温下响应特性的研究
- 2020年
- 制作了基于AlGaN/GaN HEMT结构的微型氢气传感器。本文研究了室温条件下栅压与传感器氢气响应特性的关系。研究结果表明随着外加栅压(-2.5 V至0.5 V)的增大,传感器对氢气响应的灵敏度减小,最大灵敏度在阈值电压V G=-2.5 V处,传感器对25 ppm氢气响应的灵敏度为87.1%,响应时间为15 s。当V G=-2.5 V,V DS=6 V时,传感器对氢气响应的灵敏度随浓度的升高而增大,且呈对数关系。研究表明Pt/AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器可应用于室温氢气检测,具有极高的应用潜力。
- 陈金龙陈金龙阎大伟王雪敏曹林洪
- 关键词：氢气传感器栅压灵敏度
- 基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法
- 本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法，属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃～640℃，期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温...
- 沈昌乐蒋涛王雪敏吴卫东湛治强彭丽萍黎维华王新明樊龙邓青华赵妍张颖娟阎大伟肖婷婷孙亮
- 文献传递
- THz波段InP基HEMT的研究现状及应用
- InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可更好对二维电子气进行限制。其次，InP基HEMT器件沟道层采用具有高...
- 阎大伟吴卫东王雪敏赵妍
- 关键词：晶体管电子迁移率太赫兹波异质结
