闫翠霞
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究被引量：4
- 2006年
- 金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响。
- 刘东红闫翠霞俞琳胡连军龙闰戴瑛
- 关键词：金刚石掺杂离子注入喇曼光谱
- 金刚石半导体电子性质研究
- 金刚石作为一种宽带隙（5-4eV）半导体材料，具有优异的物理化学性质，在高温，高频，大功率电子器件等高新科技领域有极大的应用潜力。然而，其目前的发展状况却不是很理想。尽管人们已掌握了多种生产金刚石薄膜的技术并能制备具有多...
- 闫翠霞
- 关键词：半导体材料金刚石半导体电子性质
- 金刚石N型导电研究
- 2004年
- 金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨.
- 戴瑛刘东红闫翠霞俞林杨剑
- 关键词：金刚石半导体
- 氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究被引量：2
- 2005年
- 室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展。
- 俞琳刘东红胡连军戴瑛龙闰闫翠霞
- 关键词：金刚石氘化掺杂
- 金刚石N型导电研究
- 金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一.本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。
- 戴瑛刘东红闫翠霞俞林杨剑
- 关键词：金刚石半导体
- 文献传递
- 金刚石材料n—type掺杂相关研究
- 金刚石由于其优异的物理化学性质引起了人们的关注。它在高新科技领域， 特别是在高温，高频，大功率电子器件等方面有着极为重要的应用。正是由于具有 特殊的物理、化学性质，它在一般的工业制造，热力学器件，光学器件，军事等 ...
- 闫翠霞
- 关键词：金刚石密度泛函理论半导体材料
- 文献传递
- B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象
- ＜正＞金刚石半导体器件的实现有赖于金刚石N型或P型导电材料的获得。离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。关于合成金刚石薄膜离子注入带来...
- 闫翠霞戴瑛刘东红俞林龙闰张振奎张智伟杨可松郭猛杨剑
- 文献传递
- B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象
- 2006年
- 离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。
- 闫翠霞戴瑛刘东红
- 关键词：退火
- p型金刚石欧姆接触的研究被引量：2
- 2006年
- 金刚石的欧姆接触是制造半导体器件的关键技术之一。简要综述了近年来p型金刚石制备欧姆接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题。
- 龙闰戴瑛刘东红俞琳闫翠霞
- 关键词：欧姆接触金属
