钟慧
- 作品数:111 被引量:114H指数:5
- 供职机构:电子科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- W^(6+)离子掺杂对NiCuZn铁氧体的微观结构及电磁性能的影响被引量:5
- 2006年
- 用传统的氧化物法制备了NiZnCu铁氧体,研究了掺杂W6+离子对Ni0.24Zn0.56Cu0.2Fe2O4铁氧体磁性能及微观结构的影响。实验发现,掺杂W6+离子后NiCuZn铁氧体的微观结构有显著变化,晶粒尺寸逐渐减小,晶粒趋于均匀。同时,W6+离子的加入对材料电磁性能也有一定的改善,随着W6+离子的增加,材料截止频率增高,介电常数ε′增大。
- 肖建平钟慧石玉
- 关键词:NICUZN铁氧体微结构电磁性能
- 一种制备角度可控缓坡微结构的方法
- 本发明属于半导体器件制造工艺技术领域,具体提供了一种制备角度可控缓坡微结构的方法,该方法首先在基片上生长半导体材料薄膜,再在半导体材料薄膜上旋涂一层光刻胶;然后在曝光阶段,利用光的衍射原理,保持掩膜版与光刻胶之间存在垂直...
- 钟慧秦康宁张睿霍振选杨泰张根
- 文献传递
- 一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器
- 本发明公开了一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器,涉及带隙基准电路领域;其包括镜像NMOS管、镜像PMOS管、第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5和为NM2、NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组...
- 钟慧张晨彭春瑞王诗元尉旭波石玉
- 文献传递
- 一种稳定HBT晶体管基极电压的射频功率放大器
- 本发明公开了一种稳定HBT晶体管基极电压的射频功率放大器,属于射频前端技术领域。本发明通过在偏置电路中引入二极管D1作为旁路,使其在输入功率增大时调节晶体管HBT0基极的电压,以此抑制晶体管HBT0基极电压压缩,且不影响...
- 钟慧 苏力 刘旻俊王华磊
- 一种带内超低群时延波动滤波器
- 本发明公开了一种带内超低群时延波动滤波器,包括谐振匹配电路、自均衡谐振电路和群时延补偿电路。所述谐振匹配电路包括第一电感与第一电容,第一电感与第一电容串联组成。所述自均衡谐振电路包括自均衡谐振单元Ⅰ与自均衡谐振单元Ⅱ。自...
- 石玉刘军尉旭波钟慧雷紫阳廉翅罗鸿飞
- 文献传递
- 一种宽频带大动态自动增益电路
- 本发明公开了一种宽频带大动态自动增益电路,属于射频通信技术领域,包括压控增益放大单元,用于在调节电压的调节下,将功率不同的输入信号稳定为功率相同的输出信号,并将一部分输出信号用于输出,另一部分输出信号用于反馈;滤波单元,...
- 石玉武凯璇尉旭波钟慧钟声越毛云山徐瑞豪刘文斌
- 文献传递
- 超大机电耦合系数声波谐振器的研究被引量:1
- 2021年
- 该文研究了Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PIN-PMN-PT)基片上声表面波(SAW)的传播特性。利用COMSOL软件建立SAW谐振器三维模型并进行模拟仿真。通过优化谐振器参数,设计了一种具有超大机电耦合系数(K^(2))的谐振器结构。结果表明,当欧拉角为(0°,-70°,0°)时,SH0模态的K^(2)可优化到约85%,且通带内无寄生响应。
- 张小德王华磊李儒章钟慧钟慧
- 关键词:机电耦合系数
- 一种基于SoC动态可配的频谱分析的系统及实现方法
- 本发明公开了一种基于SoC动态可配的频谱分析的系统及实现方法,具体涉及无线数字接收机领域。系统包括数据通路和控制通路。方法包括:将DDC输出的流数据转化为AXI协议格式的数据;根据交叠点数进行帧与帧之间的交叠处理;进行时...
- 尉旭波刘洪波石玉钟慧郑行杰魏磊
- 一种具有高机电耦合系数的体声波谐振器
- 本发明属于MEMS谐振器领域,具体涉及一种具有高机电耦合系数的体声波谐振器,包括支撑衬底、多个谐振单元周期性排列形成的栅结构;所述支撑衬底通过刻蚀形成空腔结构;所述栅结构悬置于空腔上方并与支撑衬底抵接,形成栅结构的每个谐...
- 吴晓彬钟慧刘湉隽李天年李世中
- 一种基于磁饱和实现绝对带宽恒定的跳频滤波器及实现方法
- 本发明提供一种基于磁饱和实现绝对带宽恒定的跳频滤波器及其实现方法,绝对带宽恒定的跳频滤波器由矩阵电容、阻抗匹配电感、耦合电感及谐振电感四部分组成,其实现方法包括:通过控制信号控制矩阵电容的接入数值大小来控制带通滤波器的中...
- 潘泽鑫石玉李世中雷瑶尉旭波钟慧