邹德慧
- 作品数：32 被引量：66H指数：6
- 供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国地质调查局地质调查项目更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信理学机械工程更多>>
- 中子辐射损伤等效性研究进展被引量：1
- 2015年
- 为建立不同辐射源损伤评价的统一标准,制定武器抗中子辐射性能考核及验收的依据,国内外确定了中子辐射损伤等效标准源,开展了大量的等效性研究工作。本文从位移损伤函数、辐射源能谱以及二者的结合关系方面梳理了理论研究进展。从基本实验方法、效应参数及场量参数的控制趋势方面总结了实验研究进展。探讨了降低实验不确定度的方法,展望了辐射损伤等效性研究工作的方向。
- 邹德慧邱东许波周静
- 关键词：能谱
- 一种基于ADS优化的微带带通滤波器设计及实现被引量：10
- 2007年
- 介绍微带带通滤波器ADS全局优化设计方法及其设计流程,重点阐述ADS设计流程中的参数优化、器件仿真、矩量法分析等相关内容。微带带通滤波器实物的性能测试表明:通带传输衰减小于2.5dB,端口反射系数小于-15dB,阻带衰减接近40dB,其物理尺寸约8×2.5×1.5cm,基于ADS优化的微带带通滤波器设计优于传统设计。
- 邹德慧赖万昌戴振麟葛良全
- 关键词：微带带通滤波器ADS全局优化矩量法
- 基于平均位移kerma因子方法的位移损伤计算被引量：5
- 2008年
- 根据硅位移kerma函数表,针对传统的基于平均能量的kerma因子取值方法在位移损伤计算中的不足,提出了不同能量中子分群方式下硅位移kerma因子取值的新方法——平均位移kerma因子法。使用该方法计算了几种典型辐射源的位移损伤。结果表明:不同分群方式下,采用平均能量法获得的损伤结果相差17%左右,采用平均位移法得到的损伤结果相差4%左右;采用平均位移法时,群内中子分布模式对损伤结果没有显著影响。
- 邹德慧邱东
- 关键词：能谱
- 基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7
- 2013年
- 针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。
- 蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理
- 关键词：中子探测器宽禁带半导体4H-SIC
- 关于开展CFBR-II堆中子辐照损伤等效性研究工作的初步设想
- 为满足新形势下抗辐射加固技术研究需要,针对早期研究工作中存在的不足和CFBR-Ⅱ堆的现状,提出了进一步开展CFBR-Ⅱ堆中子辐射损伤等效研究工作的初步设想,主要包括研究内容、研究目标、拟采取的理论和实验研究方法等,文章最...
- 邹德慧邱东赖万昌
- 关键词：CFBR-II堆中子
- 文献传递
- 沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究被引量：3
- 2015年
- 采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。
- 吴健甘雷蒋勇李俊杰李勐邹德慧范晓强
- 关键词：中子探测硅探测器
- 中子位移损伤监测技术研究
- 利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试...
- 邹德慧高辉鲁艺艾自辉
- 关键词：能谱硅双极晶体管数据分析方法
- 文献传递
- 一种高灵敏度X射线密度测量技术被引量：2
- 2007年
- 介绍了一种高灵敏度X射线密度测量的基本原理以及基于此原理研制的X射线密度仪。采用FP法迭代计算出被测物质中各元素的含量,再由密度公式算出该物质的密度。该密度仪的软件部分用C语言编写,人机交互界面友好,初步应用表明其稳定性较好、灵敏度高,测得饱和厚度合金样的密度与其理论计算值相吻合,此X射线密度仪有很好的应用前景。
- 戴振麟葛良全邹德慧赖万昌
- 关键词：X射线密度仪软件设计
- 中子辐射损伤等效性研究的半导体器件选择方法被引量：3
- 2014年
- 半导体器件的中子辐射效应是开展辐射损伤等效性研究的一个重要实验途径,为获得精密的辐射损伤等效系数,需要对半导体器件进行选择。在半导体器件基本选用原则的基础上,从微观机理到宏观工程应用方面阐述了器件类型的确定依据,通过实验摸索出器件性能选择条件,从器件的质量、批次、参数一致性等方面提出了改进措施,形成了比较全面的半导体器件选择方法,具有应用价值。采用该方法挑选出3DG121C双极晶体管应用于某快中子临界装置与CFBR-II堆之间的辐射损伤等效性研究,获得了等效系数为1.19,满足现阶段抗辐射加固及中子辐射效应评价需求。提出了下一步等效性研究的器件选择方向。
- 邹德慧邱东杨成德鲁艺荣茹
- 关键词：中子
- SiC基中子探测器对热中子的响应被引量：7
- 2013年
- 以SiC二极管和中子转换材料6 LiF为基础,研制了SiC基中子探测器,并用241 Am源与临界装置分别研究了SiC基中子探测器的α粒子响应、热中子响应。结果表明:SiC基中子探测器能够满足241 Am源α粒子的计数测量,但由于SiC二极管灵敏区薄,故不能用于5.48MeV的α粒子能谱测量;SiC基中子探测器对热中子响应良好,不同功率下,脉冲幅度谱中可清晰看到由6 Li(n,α)3 H的反应产物α粒子、3 H粒子形成的双峰;脉冲幅度甄别法可将γ射线及电子学噪声甄别掉;在直接测量与符合测量中,SiC基中子探测器的计数率均与临界装置功率成线性关系,且直接测量的线性度比符合测量的线性度好,最好可达0.999 97。研究表明:降低肖特基接触金属的厚度、增加其外延层厚度、提高其外延层品质,可将SiC二极管用于带电粒子能谱测量。
- 陈雨蒋勇吴健范晓强白立新刘波李勐荣茹邹德慧
- 关键词：中子探测半导体探测器
