蔡立超
- 作品数：7 被引量：15H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：化学工程理学电子电信更多>>
- Li_3N触媒粒度对立方氮化硼单晶合成效果的影响被引量：9
- 2014年
- 在压力4．5～5．3GPa，温度1350～1500℃条件下，分别以不同粒度的Li3N粉末作为触媒，采用高温高压触媒法合成了立方氮化硼（cBN）单晶。研究了UN触媒粒度对cBN单晶合成效果的影响，对得到的cBN单晶的产量、转化率、大晶粒含量和抗压强度等特性进行了检测对比。结果表明，当Li3N触媒的粒度为80～100μm时，在高温高压下可以合成出大晶粒含量高、抗压强度高、生长完善且晶形完整度较高的cBN单晶；当Li3N触媒的粒度为60～80μm时，在高温高压下合成出的cBN单晶产量和转化率较高。
- 温振兴许斌蔡立超蔡玉成张文吕美哲
- 关键词：粒度CBN
- 三种氮化物触媒原料的cBN单晶合成效果被引量：2
- 2014年
- 在压力4.2-5.5 GPa、温度1350-1540℃条件下,分别采用Li3N、Ca3N2、Mg3N2三种氮化物粉末作为触媒合成出了cBN单晶;研究了三种触媒的cBN单晶合成效果,对得到的cBN单晶产量和转化率、粒度分布、抗压强度和表面形貌等进行了表征和对比,并讨论了三种触媒合成cBN单晶的经济性及其应用。结果表明,采用Li3N触媒合成出的cBN单晶,产量和转化率高,单晶粒度大,抗压强度高,晶体生长完善,生长缺陷少,但Li3N触媒价格昂贵,适用于工业化生产高品级cBN大单晶;采用Ca3N2触媒合成出的cBN单晶虽然其产量和转化率低,粒度较小,但生长较为完善,表面缺陷较少,同时Ca3N2触媒价格便宜,适用于工业化生产高品级的cBN小单晶;采用Mg3N2触媒合成出的cBN单晶产量和转化率居中,单晶粒度小,晶体表面粗糙,存在较多生长缺陷,但Mg3N2触媒价格低廉,可大大降低cBN单晶的生产成本,适用于工业化生产较低品级的cBN单晶和微粉。
- 许斌温振兴蔡立超张文吕美哲苏海通
- 关键词：触媒
- 石墨球磨改性对合成细颗粒金刚石的影响
- 2011年
- 采用机械球磨的方法对石墨粉进行了改性,然后将改性后的石墨粉按照一定比例加入正常石墨中进行了细颗粒金刚石的合成,并对合成结果进行了分析。实验结果表明,加入球磨改性后的石墨能显著提高合成出的细颗粒金刚石的粒度集中度,而且金刚石晶型完整度及强度指标较好,为合成优质细颗粒金刚石提供了一种新方法。
- 蔡立超李木森
- 优质粗颗粒立方氮化硼单晶的合成工艺与机理研究
- 立方氮化硼(CubicBoronNitride，简称c-BN)单晶的硬度仅次于金刚石单晶，具有良好的热稳定和抗氧化性能，并在黑色金属、高温合金和冷硬铸铁等难加工材料方面表现出优异的加工性能。优质粗颗粒c-BN单晶的应用价...
- 蔡立超
- 关键词：高温高压合成工艺
- 文献传递
- 声发射检测技术在人工合成金刚石中的应用研究
- 由于高温高压合成金刚石是在密闭的腔体中进行，所以直接获得金刚石单晶生长过程的实验数据十分困难。至今，对金刚石的生长机理研究主要基于高温高压合成后的金刚石单晶在常压、室温下进行静态观测和表征的实验结果与理论分析，或在特定的...
- 蔡立超
- 关键词：声发射检测高温高压合成金刚石单晶单晶生长铁基触媒
- 添加籽晶对合成立方氮化硼单晶的影响被引量：8
- 2015年
- 采用Li3N、Ca3N2作为触媒,在高温高压（HPHT）条件下合成立方氮化硼（c BN）单晶,合成过程中通过加入籽晶的方式获得c BN单晶。通过改变籽晶的加入量和粒度,研究籽晶对合成c BN单晶产量的转化率、大颗粒单晶（30/50目）比例以及单晶静压强度等性能的影响;利用扫描电子显微镜对在不同条件下合成出的单晶颗粒形貌进行观察和对比。结果表明,在HPHT下,添加3wt‰的270/325目的籽晶合成出的c BN单晶尺寸为0.5 mm左右,且c BN单晶晶形规则,晶面多为（111）和（110）面,缺陷较少;30/50目的 c BN单晶的静压强度为44.5~48.2 N;合成c BN单晶的粒度整体提高。在Li3N-h BN体系中,添加270/325目籽晶合成c BN单晶产量的转化率为45.5%;添加100/120目的籽晶合成c BN单晶的大颗粒单晶（30/50目）的转化率达60.3%。在Ca3N2-h BN体系中合成c BN单晶的效果较差一些。
- 苏海通许斌蔡立超吕美哲张文
- 关键词：籽晶立方氮化硼转化率
- 高温高压下cBN单晶转变机理的EET理论分析被引量：2
- 2015年
- 使用ab从头算原理计算了六方氮化硼(hBN)和立方氮化硼(cBN)在cBN单晶合成温度和压强下(1800K,5.0GPa)的晶格常数。通过EET理论构建了hBN和cBN的共价电子结构,并计算出九组hBN和cBN单晶的不同低指数晶面之间在高温高压下的相对共价电子密度。根据TFDC理论分析判断,发现hBN的(110)与cBN的(110)、hBN的(100)与cBN的(100)分别连续,两组晶面组合的相对共价电子密度差均小于<10%。这表明:这两组hBN/cBN晶面之间的价电子结构相差不大,可以诱使hBN直接转变为cBN。因此本文认为:从价电子结构的角度分析,高温高压下的cBN单晶极有可能是由hBN直接转变而来的。
- 许斌吕美哲张文蔡立超苏海通
- 关键词：EET理论高温高压
