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范菊平

作品数:26 被引量:125H指数:7
供职机构:西北核技术研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇军事
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 13篇高功率微波
  • 5篇半导体
  • 4篇电容
  • 4篇相对论返波管
  • 4篇晶体管
  • 4篇返波管
  • 4篇X波段
  • 4篇波导
  • 3篇微波源
  • 3篇脉冲功率
  • 3篇功率
  • 3篇高功率微波源
  • 2篇导体
  • 2篇电流
  • 2篇电探针
  • 2篇移相器
  • 2篇数值模拟
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇速调管

机构

  • 22篇西北核技术研...
  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 26篇范菊平
  • 9篇宋志敏
  • 8篇陈昌华
  • 6篇王刚
  • 6篇胡龙
  • 6篇丁臻捷
  • 6篇潘亚峰
  • 6篇袁雪林
  • 6篇方旭
  • 6篇浩庆松
  • 5篇黄文华
  • 5篇曹亦兵
  • 5篇刘国治
  • 4篇李佳伟
  • 4篇胡咏梅
  • 4篇苏建仓
  • 4篇贾新章
  • 3篇游海龙
  • 3篇张黎军
  • 3篇孙钧

传媒

  • 8篇强激光与粒子...
  • 1篇物理学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇现代雷达
  • 1篇第七届全国激...
  • 1篇第一届加速器...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理被引量:4
2013年
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系。结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应。当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁。该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理。
范菊平游海龙贾新章
关键词:金属-氧化物-半导体场效应晶体管高功率微波熔丝
两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源
本发明涉及两个倍压电路串联输出的磁脉冲压缩单元及磁脉冲压缩源,其特征在于:磁饱和脉冲变压器ST<Sub>1</Sub>和电容C<Sub>1</Sub>、C<Sub>2</Sub>构成一个次级倍压电路,磁饱和脉冲变压器ST...
潘亚峰丁臻捷方旭王刚胡龙浩庆松范菊平袁雪林
文献传递
一种高功率微波耦合测量装置
本发明公开一种高功率微波耦合测量装置包括:法兰、主波导、耦合波导、电探针、绝缘支撑结构、同轴外导体以及射频同轴连接器;电探针、同轴外导体与绝缘支撑结构组成同轴结构的波导,通过绝缘支撑结构将电探针紧固于同轴外导体内;其中,...
曹亦兵孙钧宋志敏张黎军范菊平史彦超胡咏梅邓昱群
基于SOS和LTD技术的高重复频率脉冲发生器被引量:2
2014年
提出了磁饱和直线变压器驱动源(LTD)泵浦半导体断路开关(SOS)产生高重复频率短脉冲的技术路线。利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点,实现快速反向泵浦SOS,通过多级LTD模块叠加获得高电压输出。采用射频金属氧化物场效应晶体管(RF MOSFET)作为LTD初级电路的主开关,将SOS正向泵浦电流脉冲时间降至数十ns,泵浦电流脉冲重复频率最高可达MHz。最终研制出一台基于SOS的10级磁饱和LTD型脉冲发生器,输出电压约11kV,电流220A,脉冲宽度约2ns,重复频率为20kHz。实验验证了磁饱和直线脉冲变压器泵浦SOS产生高重复频率短脉冲的技术路线可行。
王刚苏建仓丁臻捷范菊平袁雪林潘亚峰浩庆松方旭胡龙
关键词:半导体断路开关直线变压器驱动源重复频率
典型半导体器件的高功率微波效应研究
高功率微波(High Power Microwave,HPM)是极具应用前景的新概念技术。由于其固有的物理特性,HPM能够干扰、压制、摧毁电子信息系统。HPM对电子信息系统的作用,根本原因是 HPM对电子器件(特别是半导...
范菊平
关键词:半导体器件高功率微波
带有反射腔的相对论返波管的数值模拟被引量:17
2002年
阐述了带有反射腔的相对论返波管的数值模拟研究。利用线性理论 [1]设计了返波管的慢波结构 ,应用 SUPERFISH软件设计了谐振反射器。用 KARAT软件对谐振反射腔返波管进行了宏观粒子模拟 ,得到了优化的返波管结构参数 ,并研究了外加磁场对输出效率的影响。模拟结果表明 :谐振反射腔不仅起到截止颈的作用 ,还有预调制的作用 ;在低外加磁场条件下 ,该返波管也能输出较高功率的微波。
范菊平刘国治陈昌华宋志敏
关键词:高功率微波相对论返波管慢波结构
一种用于X波段的铁氧体移相器
本发明涉及移相器领域,公开了一种用于X波段的铁氧体移相器。所述铁氧体移相器包括:依次连接的第一传输波导、微波分配段、至少一个波导移相单元、微波聚集段和第二传输波导,以及连接在所述至少一个波导移相单元两端的驱动器。本发明通...
邓广健黄文华李佳伟邵浩巴涛范菊平汪海波姜悦郭乐田
文献传递
引导磁场对相对论返波管微波功率的影响被引量:25
2000年
对引导磁场大小对相对论返波管 (RBWO)微波功率的影响进行了理论和实验研究。利用 KARAT软件对 RBWO进行了全电磁 PIC数值模拟 ,发现当磁场降低时 ,TE模与 TM0 1模的竞争导致微波功率降低 ,同时模拟中观察到“电子回旋共振吸收”现象 ,它是由于电子束与慢波结构中 TM0 1 模的基波相互作用的结果 ;实验结果与数值模拟基本相符。
陈昌华刘国治宋志敏范菊平
关键词:相对论返波管引导磁场数值模拟
一种用于X波段的铁氧体移相器
本发明涉及移相器领域,公开了一种用于X波段的铁氧体移相器。所述铁氧体移相器包括:依次连接的第一传输波导、微波分配段、至少一个波导移相单元、微波聚集段和第二传输波导,以及连接在所述至少一个波导移相单元两端的驱动器。本发明通...
邓广健黄文华李佳伟邵浩巴涛范菊平汪海波姜悦郭乐田
带有反射腔的相对论返波管初步实验研究被引量:18
2001年
阐述了带有反射腔的相对论返波管的初步实验研究进展。反射腔是一段不规则的圆波导 ,在相对论返波管中起到截止颈的作用。初步实验的结果为 :外加磁场 Bz=0 .7T时 ,输出微波功率为 1 70 MW,微波频率 8.874 GHz,脉宽为 1 0 ns;外加磁场 Bz=1 .7T时 ,微波功率为 370 MW,频率与脉宽不变 ;根据辐射场功率密度分布判定传输模式为 TM0 1 模。结果表明
范菊平刘国治陈昌华胡咏梅王宏军
关键词:高功率微波相对论返波管
共3页<123>
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