苗晔
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：山东省教委基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- WO_3电变色材料的氢化技术研究
- 2001年
- 全固态电变色器件制作工艺复杂 ,氢化 (或锂化 )工艺是制备WO3电变色器件的关键技术。本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等。
- 黄士勇曲风钦苗晔孟兆坤辛志荣
- 关键词：电致变色氢化透光率三氧化钨
- 真空和射频溅射对ITO膜性能的影响被引量：7
- 1999年
- 为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
- 黄士勇曲凤钦苗晔
- 关键词：磁控溅射ITO膜
- 基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响
- 2004年
- 用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点。平均量子点的大小可控制在 40到 80 nm之间 ,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节。
- 黄士勇曲风钦戴振宏苗晔钟玉荣王仲训
- 关键词：量子点半导体
- CuInSe_2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析被引量：3
- 2004年
- 采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜。CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节。测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质。
- 苗晔孙海燕
- 关键词：铜铟硒射频溅射纳米颗粒膜
- 用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布被引量：7
- 1999年
- 在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响，并把计算结果与实际测量进行了比较。
- 黄士勇曲风钦苗晔董维义
- 关键词：MONTE-CARLO法
- 全固态电致变色器件工艺技术研究被引量：5
- 2001年
- 提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件 ,及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出 2cm× 2cm可重复转换、性能优良的电致变色器件 ,为大面积电致变色器件连续自动生产线的研制作了必要的技术准备。
- 黄士勇曲风钦苗晔孟兆坤
- 关键词：氢化透射比工艺技术
- 无马达驱动的旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
- 2001年
- 在大型薄膜连续生产线中 ,磁控溅射器的溅射速率、使用周期是影响生产效率与成本的重要因素。本文提出一种新型的无马达驱动的具有高溅射速率、高靶材利用率、长的靶使用周期、安装与使用简单的磁控溅射器。可广泛应用于各类大。
- 黄士勇曲凤钦苗晔钟玉荣孟兆坤傅胜奇
- 关键词：磁控溅射水冷系统
- 高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：7
- 2000年
- 在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结构与组成 ,并给出实验结果与结论。其具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。同时在反应溅射时避免在靶面上的形成介质层 ,提高了溅射过程的稳定性。
- 黄士勇曲凤钦苗晔孟兆坤
- 大型旋转圆柱形磁控溅射器被引量：2
- 1998年
- 提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可广泛适用于建筑物的幕墙玻璃等大型薄膜生产设备中。
- 黄士勇王德苗曲风钦苗晔
- 关键词：靶材利用率
