章婷
- 作品数：14 被引量：32H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- 阴极缓冲层对于不同惰性气氛气压退火处理的P3HT∶PCBM光伏性能的影响被引量：2
- 2012年
- 制备了基于聚(3-己基噻吩)(P3HT)与可溶性富勒烯衍生物(PCBM)共混体系的太阳能电池。通过改变活性层退火处理时惰性气氛环境的压强,在一定程度上实现对共混物相分离以及聚合物结晶度的控制,研究了LiF作为阴极缓冲层对不同压强下退火处理的器件性能的影响。实验发现,LiF层的关键作用在于稳定开路电压以及提升短路电流,从而带动转化效率整体提升。结果表明,LiF层可以改善器件活性层与金属电极接触的界面形态,而器件的最终性能则由活性层的微观形貌与电极界面形态共同决定。
- 李畅章婷薛唯孙硕
- 关键词：聚合物太阳能电池
- 退火气压对于P3HT∶PCBM微观形貌及光伏性能的影响
- 2015年
- 通过精确设定不同的退火环境气压,实现对P3HT(Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)与PCBM([6,6]-Phenyl C61butyric acid methyl ester)体系中聚噻吩结晶度以及共混相分离程度的控制,并在此基础上制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al的正型光伏器件。在允许的压强设定范围内,器件各项性能参数均随退火环境压强的增大表现出先升高后下降的变化规律,并统一于气压设定为1 500mTorr时获得最大值。从活性层的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱中发现P3HT在510nm吸收峰以及550和600nm肩峰附近的吸收强度随退火气压升高而增大,在气压为1 500mTorr时达到最高,吸收强度的提升源于聚合物分子π—π堆叠的增加。原子力显微镜(AFM)进一步分析结果表明,高气压环境(>1 000mTorr)能够促进P3HT∶PCBM共混组分在退火过程中形成较大程度的相分离,而当环境压强合适时(1 500mTorr)适度的相分离利于聚合物形成良好有序结晶,从而能够提升活性层内部载流子传输能力,保证较高的短路电流与填充因子,制备的器件也因此表现出良好的光伏性能,光电转化效率达到3.56%。
- 李畅薛唯章婷赵谡玲
- 关键词：聚合物太阳能电池
- Cu(Ⅰ)配合物型光功能材料研究进展被引量：6
- 2004年
- 光功能Cu(Ⅰ )配合物是近年来新材料领域的一个亮点 ,在有机发光二极管 (OLED)、光学传感器、非线性光学材料 (NLO)、染料敏化太阳能电池等领域表现出诱人的应用前景 .文中评述了这类材料在配体、立体化学控制和超分子构筑、激发态设计、高能发射 (HE)和低能发射(LE)、Cu…Cu间相互作用、应用开发等方面的研究进展 .
- 王元敏滕枫徐征钱磊章婷刘德昂
- 关键词：光功能材料铜配合物立体化学非线性光学材料
- ZnO电子传输层对于反型结构聚合物太阳电池光浴效应的影响
- 2015年
- 采用金属氧化物电子传输层(ETL)的聚合物光伏器件在制备完成之初通常性能表现低下,J-V曲线呈异常"S"形.当器件受白光持续照射后,该不良状况会逐渐好转,此过程称为光浴(light-soaking).光浴现象普遍被认为是ETL界面问题所致.从器件结构着手,研究了ZnO纳米颗粒ETL相邻的两个界面在光浴问题上的作用.制备了功能层相同的(电极除外)正型、反型器件及复合ETL结构器件,发现光浴现象仅出现于包含ZnO/ITO界面的反型器件中,证明该界面是导致光浴现象的主要原因.分析认为:ZnO颗粒表面O2吸附形成的电子陷阱增加了ITO/ZnO势垒厚度,使得光生电子无法逾越而成为空间电荷积累,从而导致器件初始性能不佳.器件经光照后,ETL内部受激而生的空穴电子对填补了ZnO缺陷,提升了ETL的电荷选择性并减小了界面势垒厚度,被束缚的光生电子得以隧穿至ITO电极,反型器件性能最终得以改善.
- 李畅薛唯韩长峰钱磊赵谡玲喻志农章婷王岭雪
- 关键词：氧化锌纳米颗粒
- 二价铕离子掺杂碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性
- 2011年
- 为了获得高效的蓝色和绿色的电致发光材料,对Eu2+掺杂的碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性的关系进行了深入研究。首先简述了用于MⅡAl2S4∶Eu材料发光性能评估的位形坐标模型并引入各评估参量;其次结合材料的晶体结构对MⅡAl2S4∶Eu材料的光致发光和电致发光性能进行了比较和分析;最后,通过材料的PL光谱曲线计算出材料的特征能量和两个比值因子参量的值,从而得到对MⅡAl2S4∶Eu发光材料的量化比较。根据评估结果和其CIE1931色坐标的比较,可以认为BaAl2S4∶Eu和CaAl2S4∶Eu较适合于作为蓝色和绿色发光材料。由于可以使发射峰发生移动,镁、锶的硫代铝酸盐可以作为复合硫代铝酸盐发光材料使用。
- 张东璞薛唯喻志农章婷蒋玉蓉冷健孔祥君
- 关键词：发光特性晶体结构
- 掺杂PVK薄膜中两种组分相互作用的光谱及形貌研究被引量：1
- 2006年
- 将两种荧光材料Alq3和DCJTB同时掺杂到聚合物PVK中,通过混合薄膜的光学及电学性质研究了能量传递过程及电荷陷阱作用。同时用AFM分析了不同掺杂浓度下混合薄膜的相分离现象。发现随着DCJTB染料比例的增加,两种染料在PVK中的分散越来越均匀,说明在双掺杂体系中存在Alq3和DCJTB的某种作用,这种作用打散了混合物中Alq3的聚集,但随着掺杂浓度的进一步增加,DCJTB形成了自己独立的电荷传输通道,从而降低了电致发光器件的启亮电压。
- 章婷徐征滕枫钱磊王永生徐叙瑢
- 关键词：掺杂电致发光
- 掺杂聚合物电致发光中的能量与电荷传输
- 掺杂有机电致发光研究自Tang第一次报道以来，已成为有效改善OLED和PLED性能(发光效率、延长器件寿命、改变发光颜色，窄化光谱以及偏振发光)的主要方法之一，对于共轭聚合物来讲，掺杂技术己开启了优化光电器件的新道路。但...
- 章婷
- 关键词：有机电致发光电荷传输显示技术
- 文献传递
- 掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究
- 2018年
- 以PS(聚苯乙烯)和PC_(61)BM([6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯)为活性材料,通过加入导电性不同的缓冲层材料,优化了阻变存储器件的开关比。制备时分别以金纳米粒子(Au-NPs)、聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)材料作为器件的缓冲层,得到了开关比可调、存储机制不同的电双稳态器件。测试结果发现缓冲层材料导电性是影响器件开关比的关键因素,当缓冲层材料从绝缘性材料PVP换为导电性良好的金纳米粒子,其开关比从10~2逐渐增大到10~5。另外对于不同结构的存储机制,通过电流电压拟合曲线和能带原理图分析,发现缓冲层材料的导电性质及能级匹配是影响器件存储机制的重要因素。
- 李静玉林青章婷邓朝勇
- 关键词：存储器缓冲层
- 银纳米线及其透明导电膜的研究进展被引量：6
- 2020年
- 近年来,透明导电薄膜在光电器件中得到广泛的应用,是触控显示、有机发光二极管(OLED)、薄膜太阳能电池等器件的重要组成部分。目前氧化铟锡(ITO)作为透明电极在平板显示以及各种电子设备应用中处于垄断地位,但其本身存在陶瓷脆性、弯折易受损、反应温度高及易泛黄等缺点,严重阻碍了电子器件向小型化和柔性方向发展,因此迫切需要一种新的导电材料能够代替ITO,从而应用到柔性设备中。而基于银纳米线(Ag nanowires,AgNWs)的透明导电膜凭借良好的透光度、高导电性、低成本以及柔性可弯折等优点,有望成为ITO导电薄膜最具潜力的替代品。短短几年内,基于AgNWs透明导电膜的制备工艺和器件结构不断得到优化,并吸引越来越多研究者的关注。AgNWs的长径比及其分散液的粘度直接影响透明导电膜的光学和电学性能。对于高长径比的AgNWs,只需较少数量即可搭建出高导电性的AgNWs网络。这样可有效降低使用高长径比AgNWs制得的导电膜的散射,也可大幅提升其透过性。其次,分散液是影响AgNWs导电膜性能的另一个不可忽视的因素,其分散性和粘度直接影响着薄膜的均匀性及薄膜与基底的粘附性,因此获得高性能的分散液是制备AgNWs透明导电膜的关键。此外,由于AgNWs之间的接触电阻非常高,制备的导电膜的方块电阻非常大,这就需要对薄膜进行相应的后处理来降低其方阻。本文重点综述了国内外AgNWs的合成方法,总结了高透明AgNWs导电膜在导电分散液制备、薄膜制备、后处理等工艺上的研究进展,并简述了AgNWs透明导电膜在光电器件中的应用。最后,对AgNWs柔性透明导电膜在未来的发展趋势进行了展望,以期为制备高性能的AgNWs透明导电膜提供参考。
- 周扬州钱磊章婷
- 关键词：银纳米线透明导电膜太阳能电池
- 双掺杂聚合物电致发光中能量传递的光谱分析被引量：2
- 2006年
- 将两种荧光染料掺杂到有机聚合物中,制作了双掺杂的电致发光器件ITOPVK:TPB:RubreneLiFAl,得到了聚合物与两种荧光染料之间的阶梯式的能量传递。当PVK作为能量给体,Rubrene为能量受体时,能量传递不是很有效。但通过研究共掺杂体系的发光性质,发现辅助染料TPB的加入,作为能量传递的桥梁,提高了能量传递的效率,从而增加了器件的色纯度。
- 章婷徐征滕枫钱磊王永生徐叙瑢
- 关键词：双掺杂电致发光
